據(jù)外媒報道，納微半導體日前宣布了SiC外延片產(chǎn)能建設計劃，以加強對產(chǎn)業(yè)鏈控制、減少成本并提高其GeneSiC碳化硅業(yè)務的營收能力。
根據(jù)規(guī)劃，公司將投資2000萬美元，在位于加利福尼亞州托倫斯的總部建立一個三反應腔的SiC外延生長設施，第一臺具有6、8英寸晶圓處理能力的AIXTRON G10-SiC外延設備預計將于2024年安裝到位并投產(chǎn)。
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納微半導體將其新設施提供的外延片制造視為關鍵工藝步驟，可以支持高達2億美元的額外年產(chǎn)量。該公司同時預計，將繼續(xù)使用第三方供應商進行額外的外延生長、晶圓制造和封裝操作。
納微半導體首席運營官/首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Dan Kinzer表示：“在原始SiC襯底上生長高質量的外延層是單個設備制造的關鍵工藝步驟，將AIXTRON提供的能力添加到現(xiàn)有的分包工藝流程中可擴大可用產(chǎn)能，降低成品晶圓成本，增加質量并縮短周期時間” 。
2022年8月，納微半導體并購了GeneSiC碳化硅公司，將原本的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品線擴展，新增GeneSiC碳化硅產(chǎn)品線，納微第三代半導體采用“雙引擎戰(zhàn)略”推進。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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