SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，也稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體。憑借其禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢(shì)，適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶片制備、外延生長(zhǎng)、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等部分。其中外延是承上啟下的重要環(huán)節(jié)，具有非常關(guān)鍵的作用。
天域半導(dǎo)體是我國(guó)首家獲得汽車(chē)質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949)的SiC供應(yīng)鏈企業(yè)，以先進(jìn)的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)為客戶(hù)提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢(xún)特在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。
屆時(shí)，天域半導(dǎo)體 FAE經(jīng)理 何鑫將出席，給大家?guī)?lái)《碳化硅外延淺析》主題演講，同場(chǎng)還有更多“重量級(jí)”嘉賓，給大家進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來(lái)。
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