近日，SiC外延生長CVD設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備，此設(shè)備具備獨特反應(yīng)腔室設(shè)計、可獨立控制的多區(qū)進氣方式、以及智能的控制系統(tǒng)，將更好的提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。
sourse：納設(shè)智能
目前，6英寸碳化硅技術(shù)已經(jīng)趨向成熟，產(chǎn)業(yè)正在向8英寸邁進，相信在不久的將來會進入8英寸時代。晶圓尺寸越大，外延工藝難度也就越大，必然對設(shè)備提出更高的要求，正所謂“一代設(shè)備，一代工藝”，納設(shè)智能開發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備順應(yīng)了產(chǎn)業(yè)向更大尺寸的發(fā)展趨勢，在技術(shù)上具有前瞻性，同時能夠向下兼容6英寸外延，非常符合當(dāng)前市場對于6英寸和8英寸兼容的需求。
目前，納設(shè)智能已實現(xiàn)8英寸碳化硅外延設(shè)備的交付，該設(shè)備在客戶現(xiàn)場生產(chǎn)的外延片厚度不均勻性≤2%，濃度不均勻性~4%，表面粗糙度≤0.3cm-2，缺陷控制良好。
近年來，隨著SiC應(yīng)用領(lǐng)域的擴展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有：化學(xué)氣相沉積（CVD）；液相外延生長（LPE）；分子束外延生長（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù) 。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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