10月13日,乾晶半導(dǎo)體(衢州)有限公司(下文簡稱乾“乾晶半導(dǎo)體”)發(fā)文稱,公司SiC襯底項目中試線主廠房封頂。
據(jù)悉,乾晶半導(dǎo)體(衢州)作為杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司的全資子公司及生產(chǎn)基地,僅用4個月中試車間金頂就順利完工。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
乾晶半導(dǎo)體主要從事SiC的單晶生長和襯底加工的研發(fā),其6英寸SiC拋光片已經(jīng)通過客戶驗證,工藝技術(shù)轉(zhuǎn)入衢州生產(chǎn)基地開展產(chǎn)業(yè)化,項目擬月產(chǎn)6英寸SiC拋光片5千片,計劃于2024年二季度達產(chǎn)。
其8英寸SiC晶體生長技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進行中試。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。