6月26日，為期三天的SEMI-e 2024第六屆深圳國際半導(dǎo)體展在深圳國際會展中心開幕。本屆展會特設(shè)三館六大區(qū)，覆蓋包括芯片設(shè)計、晶圓制造與封裝、半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件、先進(jìn)材料、第三代半導(dǎo)體/IGBT、汽車半導(dǎo)體為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-e展會匯聚了天科合達(dá)、萬年芯、南砂晶圓、爍科晶體、天域半導(dǎo)體、同光股份、先導(dǎo)集團(tuán)、普興電子、科友半導(dǎo)體、合盛新材料、集芯先進(jìn)、乾晶半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、致能科技、蓉矽半導(dǎo)體、鎵未來、宇騰電子、晶鎵半導(dǎo)體、芯三代、AIXTRON愛思強(qiáng)、漢虹精密、恒普技術(shù)、頂立科技、芯暉裝備、志橙半導(dǎo)體、高測股份、宇晶機(jī)器、創(chuàng)銳光譜、中宜創(chuàng)芯、九域半導(dǎo)體、納設(shè)智能、黃河旋風(fēng)、季華恒一、力凱數(shù)控、清軟微視、泰微科技、聯(lián)合精密、眾力為、中機(jī)新材、優(yōu)界科技等第眾多三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN領(lǐng)域最新技術(shù)和產(chǎn)品，彰顯了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在蓬勃發(fā)展，各家廠商展品匯總?cè)缦拢?/p>
天科合達(dá)
本屆展會，天科合達(dá)帶來了高純導(dǎo)電SiC粉料、6英寸N型SiC晶錠、6英寸N型SiC襯底等產(chǎn)品。
目前，天科合達(dá)已形成擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長爐制造、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測和外延片制備等七大關(guān)鍵核心技術(shù)體系，覆蓋SiC材料生產(chǎn)全流程，形成一個研發(fā)中心、三家全資子公司和一家控股子公司的業(yè)務(wù)布局。
比亞迪半導(dǎo)體
本屆展會，比亞迪半導(dǎo)體帶來了IGBT晶圓及汽車功率模塊等產(chǎn)品。
據(jù)悉，去年11月底，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。
泰科天潤
本屆展會，泰科天潤展示了6英寸SiC晶圓、6英寸SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。
目前，泰科天潤的SiC產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，提供TO220、TO220全包封、T0220內(nèi)絕緣、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個領(lǐng)域。
世紀(jì)金芯
本屆展會，世紀(jì)金芯展示了SiC高純粉料、6/8英寸SiC晶錠/襯底等產(chǎn)品。
其中，世紀(jì)金芯帶來的SiC高純粉料純度可達(dá)99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶錠/襯底具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等特性。
今年4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元。
晶格領(lǐng)域
本屆展會，晶格領(lǐng)域帶來了3C-n型SiC襯底、4H-p型SiC襯底等產(chǎn)品。
其中，3C-n型SiC襯底具有更高的電子遷移率(3C-SiC，1100cm2/V·s；4H-SiC，900 cm2/V·s)，同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率；而4H-p型SiC襯底是利用液相法生長的p型SiC襯底，具有低電阻、高摻雜濃度高品質(zhì)等特點(diǎn)，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求。
眾力為
本屆展會，眾力為展示了SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)、SiC動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等產(chǎn)品。
其中，SiC二極管浪涌電流測試系統(tǒng)采用高速DSP+總線控制+觸屏和PC軟控界面，實(shí)現(xiàn)測試前自動VF接觸性檢測，浪涌電流測試后通過反向電流檢測功能自動檢測DUT是否失效。
GaN HEMT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基于QT開發(fā)的人機(jī)交互界面，所有測試條件均可界面化輸入，系統(tǒng)閉環(huán)處理，自動調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)一鍵測試；采用光纖驅(qū)動信號通訊，響應(yīng)速度快，抗干擾能力強(qiáng)；設(shè)備帶有自動高溫加熱功能，溫度范圍為室溫-200℃，精度±0.1℃。
方正微電子
本屆展會，方正微電子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。
其中，SiC MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)控制器、OBC充電、直流充電樁，光伏/儲能逆變，工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等場景，具有功率密度高、效率高、損耗低等特點(diǎn)；GaN HEMT系列產(chǎn)品可應(yīng)用于PD快充、PC電源、通訊/數(shù)據(jù)中心電源等場景，損耗低、效率高、體積小。
高測股份
本次展會高測股份向外主推碳化硅切片和半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)。
據(jù)介紹，公司主推設(shè)備型號GC- SCDW8300型碳化硅切片機(jī)，大大提升切割效率及出片率，降低生產(chǎn)成本，對比砂漿切割產(chǎn)能提升118%，成本降低26%。
source：高測股份
設(shè)備型號GC-SEDW812半導(dǎo)體金剛線切片機(jī)，使用金剛線切割半導(dǎo)體單晶硅片的專用加工設(shè)備，可加工硅棒直徑兼容8寸、12 寸，最大加工長度450mm（晶向偏角≤4°）。
source：高測股份
優(yōu)界科技
優(yōu)界科技首次在國內(nèi)展出納米銀預(yù)燒結(jié)貼片機(jī)SiC-8Kpro。
該設(shè)備具備可應(yīng)用于銀膜、銀膏等有壓、無壓工藝，兼容2寸/4寸wafer，主要針對SiC、IGBT、射頻功率器件、大功率激光器等產(chǎn)品。
萬年芯
本屆展會，萬年芯帶來了SiC PIM模塊、智能功率模塊（IPM）、半橋SiC模塊、超低內(nèi)阻SiC MOSFET等系列產(chǎn)品。
其中，SiC IPM模塊系列產(chǎn)品，封裝使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，內(nèi)置性能強(qiáng)大的驅(qū)動芯片、6-12顆SiC功率芯片、溫度傳感芯片，電壓650V~1200V，功率300~5000W，適用于驅(qū)動電機(jī)的變頻器和各種逆變電源。
萬年芯超低內(nèi)阻SiC MOSFET系列產(chǎn)品，使用自主研發(fā)的框架結(jié)構(gòu)，650V 系列產(chǎn)品最低Rdon為5毫歐，1200V系列產(chǎn)品最低Rdon為7毫歐。TO247-4PHC封裝具有強(qiáng)大的過流能力（持續(xù)電流200A）、耐壓能力（3300V），可用于40-60KW充電樁電源、100KW工商儲能PCS、5G電源、太陽能光伏逆變器、電網(wǎng)、高鐵、汽車等行業(yè)。
愛仕特
本屆展會，愛仕特展品范圍涵蓋650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。
其SiC MOSFET產(chǎn)品全系列采用6英寸晶圓量產(chǎn)，最高耐壓3300V，最低內(nèi)阻15毫歐，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)測試，能夠滿足車規(guī)級要求。
森國科
本屆展會，森國科帶來了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊等系列產(chǎn)品。
森國科全SiC功率模塊包括MOSFET模塊以及肖特基二極管模塊，SiC MOSFET模塊采用主流的Easy 2B封裝,模塊擁有極小的反向恢復(fù)損耗，優(yōu)異的高溫特性，卓越的散熱能力，可以有效減小系統(tǒng)體積，提升整體效率，降低散熱要求，降低系統(tǒng)成本，降低電磁干擾。
森國科SiC肖特基二極管模塊采用第五代SiC芯片組，具有更低的損耗，在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，可以有效簡化系統(tǒng)的熱設(shè)計。
合盛新材
本屆展會，合盛新材展示了高純度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC雙面拋光襯底片等產(chǎn)品。
合盛新材高純度SiC原料純度不低于99.9999%，顆粒度精確可控；6英寸N型SiC外延片總?cè)毕菝芏瓤蛇_(dá)MOS級≤0.5/cm2，厚度均勻性≤2%，濃度均勻性≤4%；6英寸N型SiC雙面拋光襯底片微管密度可達(dá)≤0.1/cm2，BPD可控制在≤500/cm2，TSD可控制在≤100/cm2。
愛思強(qiáng)
本屆展會，愛思強(qiáng)展示了SiC外延CVD系統(tǒng)G10-SiC方案。
G10-SiC（source：愛思強(qiáng)）
據(jù)悉，G10-SiC設(shè)備發(fā)布于2022年9月，自上市以來銷量持續(xù)保持增長，成為愛思強(qiáng)業(yè)績發(fā)展的一大強(qiáng)勁增長引擎，營收比重不斷提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列設(shè)備的銷量增長，愛思強(qiáng)實(shí)現(xiàn)總營收6.299億歐元，同比增長36%。其中，設(shè)備銷售額為5.323億歐元，占總營收比重從82%上升至85%。
科友半導(dǎo)體
本屆展會，科友半導(dǎo)體展示了6/8英寸SiC籽晶產(chǎn)品。
今年3月，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。通過與俄羅斯N公司合作，科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管，低位錯”完美籽晶，而應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長，能夠大幅降低8英寸SiC晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度，從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率，并推動SiC長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。
黃河旋風(fēng)
本屆展會，黃河旋風(fēng)展示了直徑為0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC單晶金剛石線產(chǎn)品，切割對象為2-8英寸絕緣型及導(dǎo)電型SiC單晶，適用于安永HW810等高速專用設(shè)備。
黃河旋風(fēng)在2022年研發(fā)成功并投放市場的第三代半導(dǎo)體SiC單晶切片專用線鋸，擁有較好的匹配性和較高的穩(wěn)定性。
蓉矽半導(dǎo)體
本屆展會，蓉矽半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列產(chǎn)品。其SiC MOSFET產(chǎn)品具有短路耐受時間＞3μs、柵氧化層長期可靠、導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗低、高雪崩耐量等特點(diǎn)，工作結(jié)溫達(dá)175℃；其SiC EJBS產(chǎn)品具有高抗浪涌電流能力、低正向?qū)▔航?、低反向漏電流、零反向恢?fù)電流等特點(diǎn)。
蓉矽半導(dǎo)體引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系統(tǒng)，晶圓測試階段引入WLTBI，在高溫/高應(yīng)力的作用下，有效篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險的芯片，以確保SiC晶圓出廠質(zhì)量與可靠性符合行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。
九域半導(dǎo)體
本屆展會，九域半導(dǎo)體展示了方阻（電阻率）測試儀（片與錠）產(chǎn)品。
該設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料、石墨烯、透明導(dǎo)電膜、碳納米管、金屬等材料的方阻(電陽率)，可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。本儀器為非接觸、非損傷測試，具有測試速度快、重復(fù)性佳、測試敏感性高、可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。
同光股份
本屆展會，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高純半絕緣SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底、6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶錠等豐富多樣的SiC產(chǎn)品。
同光股份早在2014年就已經(jīng)有SiC單晶襯底面世，目前已經(jīng)攻克了高純SiC原料合成、晶型和結(jié)晶質(zhì)量控制、籽晶特殊處理等多個關(guān)鍵技術(shù)難題，掌握了高品質(zhì)、低缺陷SiC單晶襯底制備技術(shù)。
同光股份旗下設(shè)有三個工廠，分別是保定工廠一期、保定工廠二期和淶源工廠。這些工廠布局了完整的SiC襯底生產(chǎn)線，涵蓋了從原料合成、晶體生長、襯底加工到晶片檢測的全過程。
納設(shè)智能
本屆展會，納設(shè)智能展示了6/8英寸SiC外延設(shè)備方案，具備氣路獨(dú)立可控、工藝指標(biāo)優(yōu)異、機(jī)臺量產(chǎn)穩(wěn)定、NP型靈活切換等特點(diǎn)。
今年1月，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設(shè)備完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨。
鎵仁半導(dǎo)體
本屆展會，鎵仁半導(dǎo)體展示了2/4/6英寸氧化鎵襯底、半絕緣型氧化鎵方形襯底、導(dǎo)電型氧化鎵方形襯底、非故意摻雜氧化鎵方形襯底等各類產(chǎn)品。
氧化鎵材料的高擊穿電壓及低導(dǎo)通電阻特性在功率電子器件方面有巨大應(yīng)用潛力，包括新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、國家電網(wǎng)、空間應(yīng)用等。氧化鎵材料的禁帶寬度達(dá)到4.85eV，可見光波段透過率好，可應(yīng)用于日盲紫外探測、輻射探測等領(lǐng)域。此外，氧化鎵單晶與GaN的低失配特性，還適用于生長GaN材料制備高性能的射頻器件，從而在5G通信方面有重要應(yīng)用前景。
乾晶半導(dǎo)體
本屆展會，乾晶半導(dǎo)體展示了4/6英寸半絕緣SiC拋光片、6/8英寸導(dǎo)電型SiC拋光片、6英寸SiC肖基特二極管晶圓、TO-220封裝SiC二極管等眾多產(chǎn)品。
目前，乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC單晶及拋光片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供貨，8英寸產(chǎn)品可供小批量測試。
晶鎵半導(dǎo)體
本屆展會，晶鎵半導(dǎo)體展示了GaN自支撐襯底、GaN厚膜晶片等產(chǎn)品。其GaN單晶襯底主要應(yīng)用于藍(lán)綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領(lǐng)域。
晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料GaN單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是少數(shù)具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的GaN單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。
芯三代
本屆展會，芯三代展示了SiC外延設(shè)備方案及客戶外延片產(chǎn)品。
芯三代目前聚焦SiC等第三代半導(dǎo)體裝備，代表產(chǎn)品為用于大規(guī)模量產(chǎn)SiC外延生長的CVD設(shè)備，該設(shè)備產(chǎn)能≥1000片/月，通過工藝優(yōu)化，可超過1200片/月，外延規(guī)格為英寸時(兼容8英寸)，最高外延生長速率≥60微米/小時。
該設(shè)備擁有完全獨(dú)立的自主知識產(chǎn)權(quán)，具有獨(dú)創(chuàng)的進(jìn)氣方式、垂直氣流和溫場控制技術(shù)，輔以全自動上下料（EFEM）系統(tǒng)和高溫傳盤等手段，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、Co0成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。
爍科晶體
本屆展會，爍科晶體帶來了6/8英寸導(dǎo)電N型SiC襯底、8英寸導(dǎo)電N型SiC晶錠等各類產(chǎn)品。
爍科晶體通過多年自主創(chuàng)新先后完成 4、6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握SiC生長裝備制造、碳化硅粉料制備，N型及高純半絕緣SiC單晶襯底制備工藝，擁有SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。
普興電子
本屆展會，普興電子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化鎵外延片等各類外延產(chǎn)品。
今年2月，普興電子官網(wǎng)信息顯示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評價信息公示。本項(xiàng)目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積約4000平米，購置SiC外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
天域半導(dǎo)體
本屆展會，天域半導(dǎo)體主要展示了SiC外延片及相關(guān)襯底/器件模塊產(chǎn)品，包括6/8英寸SiC晶圓、6/8英寸SiC襯底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽車主驅(qū)模塊等。
天域半導(dǎo)體主要向下游客戶提供SiC外延片產(chǎn)品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。
鎵未來
本屆展會，鎵未來展示了6英寸硅基GaN晶圓和各類GaN封裝產(chǎn)品，適用于PD快充、適配器、驅(qū)動電源、逆變器等應(yīng)用場景。
據(jù)悉，戶外電源在休閑娛樂、戶外作業(yè)和應(yīng)急救援等方面應(yīng)用廣泛，為了延長戶外電源的使用壽命和可靠性，特別是針對戶外作業(yè)對防水防塵的應(yīng)用要求，滿足市場對無風(fēng)扇戶外電源設(shè)計需求，鎵未來率先推出GaN大功率無風(fēng)扇雙向逆變器技術(shù)平臺。
致能科技
本屆展會，致能科技帶來了6英寸硅基GaN晶圓以及各類應(yīng)用方案。
致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于GaN功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。
去年11月，致能科技首發(fā)1200V耗盡型（D-Mode）高可靠性GaN器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。
天成半導(dǎo)體
本屆展會，天成半導(dǎo)體展示了導(dǎo)電型SiC粉料、導(dǎo)電型SiC晶錠、半絕緣型SiC晶錠、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底等產(chǎn)品。
天成半導(dǎo)體將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制備的高純SiC粉料，其純度高達(dá)99.9999%。
恒普技術(shù)
本屆展會，恒普技術(shù)展示了SiC長晶爐、碳化鉭涂層材料等產(chǎn)品。
其中，SiC長晶爐可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域獨(dú)立控溫、長晶全周期溫度控制。碳化鉭涂層有助于提高SiC晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”核心技術(shù)方向之一。
中宜創(chuàng)芯
本屆展會，中宜創(chuàng)芯展示了眾多類型的SiC粉料、SiC晶錠以及SiC襯底產(chǎn)品。
其SiC半導(dǎo)體粉體產(chǎn)品主要分為摻氮SiC粉體、不摻氨SiC粉體、半絕緣SiC粉體和立方SiC粉體四大類，產(chǎn)品純度最高達(dá)到7N級，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作為SiC半導(dǎo)體原料，廣泛用于SiC單晶生長。
頂立科技
本屆展會，頂立科技展示了高溫石墨化爐、化學(xué)氣相沉積爐等設(shè)備。
其中，化學(xué)氣相沉積爐是制備高性能碳基、陶瓷基復(fù)合材料的關(guān)鍵設(shè)備，頂立科技突破了大型沉積裝備溫場/流場均勻控制、智能壓力調(diào)控、腐蝕性液體氣化及精確傳送/進(jìn)給、尾氣處理等一系列關(guān)鍵技術(shù)，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉積裝備設(shè)計及制造相關(guān)的全套技術(shù)，打破了國內(nèi)只能生產(chǎn)小尺寸設(shè)備的局面，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
季華恒一
本屆展會，季華恒一展示了快速退火爐、高溫外延爐、離子注入機(jī)等設(shè)備。
季華恒一專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長系統(tǒng)、高溫離子注入系統(tǒng)、高溫氧化系統(tǒng)、激光退火系統(tǒng)、快速退火系統(tǒng)、真空鍍膜系統(tǒng)等裝備。
創(chuàng)銳光譜
本屆展會，創(chuàng)銳光譜展示了SiC少子壽命質(zhì)量成像檢測系統(tǒng)、SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)等設(shè)備。
其中，SiC襯底位錯缺陷光學(xué)無損檢測系統(tǒng)為SiC襯底位錯缺陷專用檢測設(shè)備，可全面替代堿液蝕刻（有損）檢測方式，AI精準(zhǔn)識別BPD、TSD、TED，準(zhǔn)確率＞90%。
中機(jī)新材
本屆展會，中機(jī)新材帶來了SiC襯底粗磨液、SiC襯底精磨液、SiC襯底粗拋液、SiC襯底精拋液等系列產(chǎn)品。
據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點(diǎn)。
飛仕得
本屆展會，飛仕得帶來了SiC器件動態(tài)偏壓可靠性設(shè)備ME100DHTXB。
該設(shè)備實(shí)現(xiàn)DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一體三種功能，同時可兼容HTGB、HTRB功能；每個抽屜獨(dú)立，匹配獨(dú)立電源，不同抽屜可實(shí)現(xiàn)不同條件、不同封裝器件同步老化；一個柜體內(nèi)置5個抽屜，最多可配4個柜體；不同柜體任意選配DHTGB/DHTRB，增加不同封裝器件老化，新增對應(yīng)抽屜即可，無需再次購買整個設(shè)備。
宇騰電子
本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。
宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。
中環(huán)領(lǐng)先
本屆展會，中環(huán)領(lǐng)先帶來了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等產(chǎn)品。
據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。
先導(dǎo)集團(tuán)
本屆展會，先導(dǎo)集團(tuán)旗下先為科技帶來了GaN MOCVD外延設(shè)備和SiC外延設(shè)備。
其中，BrillMO系列MOCVD系統(tǒng)適用于6英寸和8英寸功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的溫場和流場設(shè)計,具有成膜質(zhì)量高、產(chǎn)能高、使用成本低等優(yōu)勢,為GaN外延加工提供完備的解決方案。
BriSCore系列CVD系統(tǒng)采用創(chuàng)新的批量式腔體設(shè)計,可同時加工15片6英寸晶圓，適用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延設(shè)備具有產(chǎn)能表現(xiàn)優(yōu)異、使用成本低等優(yōu)勢，為SiC外延加工提供量產(chǎn)解決方案。
南砂晶圓
本屆展會，南砂晶圓帶來了6/8英寸導(dǎo)電型SiC晶棒、6/8英寸導(dǎo)電型SiC襯底片系列產(chǎn)品。
南砂晶圓產(chǎn)品以8英寸、6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。南砂晶圓生產(chǎn)的8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的TSD、MPD和SF可達(dá)到0，BPD≤200cm﹣2。
邁為股份
本屆展會，邁為股份帶來了8英寸SiC研磨設(shè)備。
邁為股份于2010年9月成立，是一家集機(jī)械設(shè)計、電氣研制、軟件開發(fā)、精密制造于一體的高端裝備制造商，公司面向太陽能光伏、顯示、半導(dǎo)體三大行業(yè)，研發(fā)、制造、銷售智能化高端裝備，主要產(chǎn)品包括全自動太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線、異質(zhì)結(jié)高效電池制造整體解決方案、OLED柔性屏激光切割設(shè)備、Mini/Micro LED晶圓設(shè)備、半導(dǎo)體晶圓封裝設(shè)備等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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