7月8日，為期三天的2024慕尼黑上海電子展于上海新國際博覽中心盛大開幕。本屆展會(huì)吸引了全球半導(dǎo)體行業(yè)TOP20的半壁江山以及國內(nèi)外1600余家廠商同臺(tái)競(jìng)技，展現(xiàn)電子行業(yè)前沿技術(shù)成果與應(yīng)用方案。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、華潤(rùn)微、英諾賽科、鎵未來、平偉實(shí)業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達(dá)茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、東科半導(dǎo)體、國基南方、能華半導(dǎo)體、愛仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對(duì)于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動(dòng)作用，各大廠商亮點(diǎn)展品匯總?cè)缦拢?/p>
三安半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。
三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺(tái)，累計(jì)出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲(chǔ)能、車載充電機(jī)、充電樁、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等。
此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個(gè)版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點(diǎn)。
英飛凌
在本屆展會(huì)，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。
在電動(dòng)汽車展區(qū)，英飛凌進(jìn)行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。
在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN?器件也亮相本屆展會(huì)，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案。
德州儀器
本屆展會(huì)，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000? TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。
在機(jī)器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機(jī)器人和伺服驅(qū)動(dòng)器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的先進(jìn)650V三相GaN IPM。
泰科天潤(rùn)
本屆展會(huì)，泰科天潤(rùn)帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。
其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險(xiǎn)。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過程中安全可靠的運(yùn)行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時(shí)依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。
目前，泰科天潤(rùn)1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計(jì)經(jīng)受了88萬小時(shí)的電動(dòng)汽車充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場(chǎng)景，累計(jì)為新能源汽車進(jìn)行了800多萬度電的超快充電。
泰科天潤(rùn)還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡(jiǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計(jì)等特點(diǎn)。
英諾賽科
本屆展會(huì)，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點(diǎn)展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。
應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺(tái)展示了用于光伏與儲(chǔ)能場(chǎng)景的2kW微逆方案、3kW雙向儲(chǔ)能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費(fèi)與家電的240W LED驅(qū)動(dòng)方案，500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。
揚(yáng)杰科技
本屆展會(huì)，揚(yáng)杰科技帶來了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。
其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器等場(chǎng)景中的應(yīng)用解決方案。
東科半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，東科半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對(duì)稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。
在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。
國基南方
本屆展會(huì)，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測(cè)成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動(dòng)終端、新能源汽車、風(fēng)光發(fā)電與儲(chǔ)能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。
晶彩科技
本屆展會(huì)，晶彩科技帶來了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。
晶彩科技半導(dǎo)體級(jí)3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對(duì)SiC單晶不同生長(zhǎng)工藝特殊的需求，粒徑可達(dá)百微米，屬于國內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達(dá)到6N。
其中，半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)半絕緣型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級(jí)精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)到6N和6.8N兩個(gè)級(jí)別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)導(dǎo)電型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。
蓉矽半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了SiC MOSFET/二極管EJBS?，以及光伏逆變器、新型儲(chǔ)能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。
在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級(jí)NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS?二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS?+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。
宇騰電子
本屆展會(huì)，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。
宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級(jí)與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。
鎵未來
本屆展會(huì)，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級(jí)GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。
其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。
TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實(shí)現(xiàn)高效率自動(dòng)化組裝，并具有極高的板級(jí)可靠性TCOB。
昕感科技
本屆展會(huì)，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級(jí)，功率模塊擁有汽車級(jí)與工業(yè)級(jí)SiC模塊。
目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
納芯微電子
本屆展會(huì)，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。
在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應(yīng)用于光儲(chǔ)系統(tǒng)中。本次展會(huì)上，納芯微展示了用于驅(qū)動(dòng)SiC功率器件的隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。
瀚薪科技
本屆展會(huì)，瀚薪科技展示了最新的國產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動(dòng)，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動(dòng)下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。
瀚薪科技同時(shí)展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。
方正微電子
本屆展會(huì)，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。
其中，應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費(fèi)電子場(chǎng)景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費(fèi)電子產(chǎn)品。
氮矽科技
本屆展會(huì)，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。
其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。
能華半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一同時(shí)量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。
能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達(dá)到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)市場(chǎng)的TO247、TOLL封裝。
公開資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球?yàn)閿?shù)不多同時(shí)掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。
愛仕特
本屆展會(huì)，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。
其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開關(guān)損耗支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行，高耐用性的封裝實(shí)現(xiàn)更高可靠性及更長(zhǎng)的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲(chǔ)能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細(xì)分領(lǐng)域。
瞻芯電子
本屆展會(huì)，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案。
在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時(shí)展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級(jí)產(chǎn)品。
在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。
在SiC驅(qū)動(dòng)IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動(dòng)?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負(fù)壓驅(qū)動(dòng)或短路保護(hù)功能的SiC專用驅(qū)動(dòng)芯片IVCO141x。
瑞能半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進(jìn)環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級(jí)充電樁的二極管車規(guī)級(jí)產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。
瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。
萃錦半導(dǎo)體
本屆展會(huì)，萃錦半導(dǎo)體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。
目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景和領(lǐng)域。
聚能創(chuàng)芯
本屆展會(huì)，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。
聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。
翠展微電子
本屆展會(huì)，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的，該方案具有高功率密度、可擴(kuò)展性好、可靠性高、抗震動(dòng)性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足新能源汽車市場(chǎng)對(duì)高集成度、高性價(jià)比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。
此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過采用銅Clip工藝實(shí)現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。
Vishay威世科技
本屆展會(huì)，Vishay在現(xiàn)場(chǎng)展示了各類無源和分立半導(dǎo)體解決方案。
Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC?系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。
Qorvo
本屆展會(huì)，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達(dá)四個(gè)分立式SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。并且這些模塊搭載獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強(qiáng)汽車的充電效率和續(xù)航里程。
為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號(hào)仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實(shí)現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計(jì)帶來更高的設(shè)計(jì)效率。
小結(jié)
從本屆展會(huì)三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展品來看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時(shí)，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級(jí)產(chǎn)品邁進(jìn)，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢(shì)。
以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對(duì)于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h(yuǎn)景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲(chǔ)充、電力電子等場(chǎng)景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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