大會(huì)背景
半導(dǎo)體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國科技競爭的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟(jì)等先進(jìn)生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對半導(dǎo)體材料的需求急劇增長，然而硅基半導(dǎo)體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動(dòng)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與高速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)材料的限制，從材料或結(jié)構(gòu)角度出發(fā)，積極探索新一代半導(dǎo)體材料或運(yùn)用先進(jìn)封裝技術(shù)，以期開創(chuàng)行業(yè)新篇章。
在此背景下，第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展應(yīng)運(yùn)而生。大會(huì)以“‘芯’材料·新領(lǐng)航”為主題，聚焦于第三代半導(dǎo)體與先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展新機(jī)遇。通過集結(jié)全球智慧，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，致力于從應(yīng)用需求出發(fā)，逆向推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。同時(shí)，通過產(chǎn)學(xué)研的緊密結(jié)合，推動(dòng)先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。此次大會(huì)能激發(fā)出更多的創(chuàng)新思維，加強(qiáng)行業(yè)間的合作，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。
組織單位
大會(huì)主題
“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國生產(chǎn)力促進(jìn)中心協(xié)會(huì)新材料專業(yè)委員會(huì)
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
支持單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
香港科技大學(xué)深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
香港城市大學(xué)深圳研究院
香港青年科學(xué)家協(xié)會(huì)
北京大學(xué)深圳系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
協(xié)辦單位
深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)會(huì)
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)
深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進(jìn)電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司
支持媒體
DT新材料、DT芯材、DT半導(dǎo)體、洞見熱管理、 Carbontech、《半導(dǎo)體芯科技》、《化合物半導(dǎo)體》、 芯師爺、21ic 電子網(wǎng)、芯榜、電子發(fā)燒友、夯邦、集邦化合物半導(dǎo)體
時(shí)間地點(diǎn)
2024年11月6—8日 深圳國際會(huì)展中心（寶安）
日程安排
大會(huì)議題
主論壇：“芯”材料 新領(lǐng)航
（1）宏觀政策解讀
（2）科技前沿新突破
（3）產(chǎn)業(yè)進(jìn)展與趨勢
（4）產(chǎn)業(yè)投資分析與方向
圓桌對話： AI和新能源風(fēng)口下的“芯”機(jī)遇與挑戰(zhàn)
「先進(jìn)封裝技術(shù)」分論壇：搶抓AI新機(jī)遇
（1）AI時(shí)代先進(jìn)封裝及Chiplet應(yīng)用專場
AI時(shí)代先進(jìn)封裝發(fā)展與產(chǎn)業(yè)趨勢解析
Chiplet高密度集成技術(shù)賦能AI算力提升
2.5D/3D封裝設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證
高精度裝備創(chuàng)新助推先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)騰飛
先進(jìn)封裝精密檢測設(shè)備創(chuàng)新應(yīng)用
圓桌對話： Chiplet互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)化落地問題探討
（2）先進(jìn)封裝互連技術(shù)專場
AI芯片互連技術(shù)創(chuàng)新及挑戰(zhàn)
3D 堆疊技術(shù)中硅通孔（TSV）刻蝕與填充
3D封裝晶圓減薄中如何解決翹曲、裂片問題
先進(jìn)封裝互連低溫?zé)Y(jié)焊料的應(yīng)用
三維互連熱管理創(chuàng)新解決方案與材料選擇
多芯片高速互連接口設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)對策與EDA解決方案
（3）面板級封裝關(guān)鍵設(shè)備及材料機(jī)遇專場
板級封裝技術(shù)成本優(yōu)勢與發(fā)展前景
面板廠商設(shè)備升級切入板級封裝的機(jī)遇
板級封裝貼片機(jī)技術(shù)突破與市場機(jī)遇
探索TGV技術(shù)推動(dòng)PLP面板級封裝創(chuàng)新與發(fā)展
高端環(huán)氧樹脂技術(shù)創(chuàng)新與突破
圓桌論壇：板級封裝國產(chǎn)設(shè)備和材料新機(jī)遇
（4）TGV玻璃基板專場
先進(jìn)封裝特種平板玻璃材料創(chuàng)新與應(yīng)用
玻璃通孔（TGV）技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展
玻璃通孔工藝挑戰(zhàn)和解決方案
玻璃基板電鍍重布線技術(shù)解析與探索
激光通孔技術(shù)加速TGV產(chǎn)業(yè)化落地
高密度玻璃載板：ROS技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用探索
「碳化硅半導(dǎo)體」分論壇：800伏快充卷動(dòng)碳化硅風(fēng)云
（1）800V高壓快充碳化硅市場與應(yīng)用專場
碳化硅功率器件在新能源車端的應(yīng)用
800V高壓電氣拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
從高壓快充看碳化硅在電力設(shè)備中的運(yùn)用
車規(guī)級碳化硅芯片/器件制造技術(shù)突破及應(yīng)用進(jìn)展
碳化硅器件耐用性檢驗(yàn)——芯片研發(fā)環(huán)節(jié)高溫門極偏置測試
圓桌對話：800V高壓快充碳化硅市場機(jī)遇與挑戰(zhàn)！
（2）800V高壓快充碳化硅特色封裝及可靠性驗(yàn)證專場
碳化硅模塊封裝如何提升耐高溫能力——SiC特色封裝設(shè)計(jì)路線
車規(guī)級碳化硅封裝可靠性測試與驗(yàn)證
碳化硅功率模塊封裝用關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)
碳化硅功率器件封裝用高熱導(dǎo)率陶瓷基板
碳化硅功率器件封裝用低電阻率的金屬連接件、燒結(jié)銀/銅工藝
耐高壓封裝絕緣材料、熱管理材料突破
功率模塊設(shè)計(jì)與仿真流程
（3）碳化硅晶圓（襯底與外延片）專場
8 inch SiC外延片生長技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
大尺寸襯底制造難點(diǎn)及技術(shù)突破
碳化硅晶圓切割良率提升及翹曲防范——激光切割
8 inch碳化硅晶圓磨拋工藝方案
碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國產(chǎn)解決方案
CVD SiC陶瓷材料在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用和發(fā)展
襯底片、外延片的精確測量方案
（4）碳化硅晶體生長專場
8英寸碳化硅晶體生長良率與速率控制
8英寸碳化硅晶體生長位錯(cuò)控制
長晶爐設(shè)計(jì)及關(guān)鍵參數(shù)控制
熱場設(shè)計(jì)、晶體制備工藝設(shè)計(jì)——控溫技術(shù)及設(shè)備
碳化硅晶體缺陷控制——快速退火爐及技術(shù)應(yīng)用
「氮化鎵半導(dǎo)體」分論壇：氮化鎵AI時(shí)代開疆拓土
（1）氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)專場
高性能氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)
高可靠性氮化鎵功率器件研究
氮化鎵功率器件制造關(guān)鍵挑戰(zhàn)和解決方案
氮化鎵功率器件創(chuàng)新封裝技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵功率器件測試技術(shù)挑戰(zhàn)及實(shí)踐
（2）氮化鎵半導(dǎo)體材料與設(shè)備專場
氮化鎵單晶襯底生長研究
氮化鎵晶體生長HVPE爐研究進(jìn)展
功率器件用氮化鎵外延技術(shù)研究及展望
氮化鎵外延翹曲、裂紋挑戰(zhàn)與解決策略
氮化鎵外延MOCVD設(shè)備進(jìn)展和突破
（3）數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件應(yīng)用專場
數(shù)據(jù)中心功率器件應(yīng)用趨勢與變化（需求）
數(shù)據(jù)中心開關(guān)電源技術(shù)的挑戰(zhàn)
氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心電源的應(yīng)用實(shí)踐
數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件創(chuàng)新方案
工業(yè)級氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證
圓桌對話：數(shù)據(jù)中心氮化鎵方案創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
（4）氮化鎵功率器件多元應(yīng)用發(fā)展專場
氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素
氮化鎵器件在車載OBC中的應(yīng)用及技術(shù)創(chuàng)新
應(yīng)用于光伏微逆變器的氮化鎵功率器件整體方案
高壓氮化鎵功率器件為應(yīng)用創(chuàng)造更多可能性
可靠性驗(yàn)證創(chuàng)新方案加速氮化鎵功率器件應(yīng)用
多物理場仿真在氮化鎵可靠性驗(yàn)證領(lǐng)域的應(yīng)用
圓桌對話：氮化鎵功率器件可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)
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劉東妮 180 3806 7192 （微信同號）
地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院1棟1201
