東部高科將與封測廠合作開發(fā)碳化硅/氮化鎵
據韓媒報道，12月4日，韓國半導體封裝企業(yè)LB Semicon與晶圓代工廠DB HiTek（東部高科）宣布，雙方將合作開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產品。
目前，東部高科正在推進SiC和GaN半導體業(yè)務，而LB Semicon也計劃通過確保相應的封裝和測試能力來提高其可靠性和技術水平。
與現(xiàn)有的基于硅晶圓的功率半導體相比，SiC/GaN半導體被認為是具有高耐熱性和高電壓特性的產品。東部高科表示，后續(xù)相關產品預計主要應用于能源存儲系統(tǒng)（ESS）和人工智能（AI）基礎設施等領域。
據集邦化合物半導體了解，東部高科今年一直在加速推進SiC/GaN業(yè)務。
2024年5月，東部高科表示將在今年第三季度引進GaN器件生產所需的相關設備，并在今年年底前完成量產準備，預計該GaN代工廠將在明年年初開始運營。
6月，東部高科、三星電子、SK Siltron以及無晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導體業(yè)務協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導體先進技術開發(fā)項目”。該項目將聚焦GaN功率半導體的研發(fā)。
7月，GaN外延企業(yè)Apro Semicon表示將與DB HiTek合作生產GaN芯片。
10月，東部高科宣布將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內投資擴建半導體潔凈室，計劃先行建設8英寸SiC產線。
目前，東部高科已進入建立8英寸試點工藝的最后階段。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產設備，建立正式的量產體系。項目投產后，DB HiTek 8英寸SiC晶圓產能將達3.5萬片/月，這將使其月生產能力從目前的15.4萬片提高23%，達到19萬片。（文：集邦化合物半導體Morty編譯）
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