鼎龍股份:布局以碳化硅為代表的化合物半導體用拋光墊

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 05 日 15:17 | 分類 碳化硅SiC

近期,鼎龍股份回復投資者問題中表示,在CMP拋光材料領域,公司全面布局以碳化硅為代表的化合物半導體用拋光墊,銅及阻擋層拋光液等多款新產(chǎn)品在客戶端驗證進度不斷推進。

鼎龍股份創(chuàng)立于2000年,2010年創(chuàng)業(yè)板上市,是一家從事集成電路設計、半導體材料及打印復印通用耗材研發(fā)、生產(chǎn)及服務的國家高新技術企業(yè)、國家技術創(chuàng)新示范企業(yè)、國家知識產(chǎn)權示范企業(yè)、工信部制造業(yè)單項冠軍示范企業(yè)。

化學機械拋光(CMP)是一種工件表面全局平坦化工藝技術,被應用于微納米級材料表面的拋光,其基本原理是工件材料表面與拋光液中氧化劑發(fā)生化學反應,生成一層軟質(zhì)層,在外加壓力下,磨粒與工件材料表面發(fā)生機械磨削作用去除軟質(zhì)層,然后工件表面再次發(fā)生化學反應,通過化學作用和機械作用交替進行,直至工件表面拋光完成。(集邦化合物半導體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。