近期，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）正式發(fā)布2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)：
T/CASAS 036—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法 輝光放電質(zhì)譜法》
T/CASAS 048—2025《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》
上述兩份文件主要起草單位為：賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、山東大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)旨在為碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)技術(shù)的規(guī)?；?、高質(zhì)量發(fā)展提供關(guān)鍵支撐。
據(jù)悉，等靜壓石墨是PVT法生長(zhǎng)SiC單晶的重要耗材，占SiC襯底生產(chǎn)物料成本約30%，其國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；苿?dòng)了SiC成本的持續(xù)降低，加快了SiC器件更廣泛的應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、工業(yè)變頻，為我國(guó)的雙碳戰(zhàn)略貢獻(xiàn)力量。
未來(lái)，CASA聯(lián)盟將繼續(xù)圍繞第三代半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用，加速關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)研制與國(guó)際化布局，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球價(jià)值鏈中占據(jù)更高位勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）