賽微電子:氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 07 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN

近期,賽微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況,其表示:

深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中;MEMS先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段,在試驗(yàn)線層面,截至目前已在公司MEMS基地(北京FAB3)建成并運(yùn)營(yíng),與客戶需求對(duì)接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動(dòng)已在公司現(xiàn)有條件下展開,工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì)搭建持續(xù)進(jìn)行,與項(xiàng)目相關(guān)的設(shè)備采購已大規(guī)模實(shí)施,該項(xiàng)目實(shí)施主體賽積國(guó)際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗(yàn)線;在商業(yè)線層面,基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量,公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案,有可能是在現(xiàn)有廠房中推進(jìn)建設(shè);基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段,還需要時(shí)間;公司已持續(xù)開發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號(hào)類別的濾波器;公司與武漢敏聲保持長(zhǎng)期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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