第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關(guān)注。近期，市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。
01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān)
3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast?氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動器。通過單級BDS（雙向開關(guān)）變換器實現(xiàn)電源技術(shù)范式躍遷。納微半導(dǎo)體指出，該技術(shù)將推動傳統(tǒng)雙級拓撲向單級架構(gòu)轉(zhuǎn)型，目標市場涵蓋電動汽車充電（車載充電機OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)及電機驅(qū)動等領(lǐng)域，有望開啟數(shù)十億美元級市場機遇。
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source：納微半導(dǎo)體
首批650V雙向GaNFast?氮化鎵功率芯片包括料號為NV6427（典型導(dǎo)通電阻為100 mΩ）和NV6428（典型導(dǎo)通電阻為50 mΩ）的兩款產(chǎn)品，采用頂部散熱的TOLT-16L（晶體管外形引腳頂部冷卻）封裝，已通過品質(zhì)認證并已進入量產(chǎn)階段。
全新IsoFast?電氣隔離型高速驅(qū)動器，專為驅(qū)動雙向氮化鎵器件設(shè)計。其瞬態(tài)抗擾度較現(xiàn)有驅(qū)動器提升4倍（最高達200 V/ns），且無需外部負壓供電，可在高壓系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠、快速、精準的功率控制。首批產(chǎn)品包括采用SOIC-16N封裝的NV1702（雙通道數(shù)字隔離型雙向氮化鎵柵極驅(qū)動器）及采用SOIC-14W封裝的NV1701（半橋氮化鎵數(shù)字隔離器）兩款料號，兩款樣品可提供給符合資質(zhì)的客戶。
02 CGD推出新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。
Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同一功率模塊，在實現(xiàn)效率最大化的同時，為碳化硅 (SiC) 解決方案提供了更具成本效益的替代選擇。
source：CGD
CGD介紹，該方案分利用了ICeGaN與IGBT器件的協(xié)同優(yōu)勢：二者具有相近的閾值電壓（ICeGaN?約3V，IGBT為4-5V）、兼容的電壓驅(qū)動范圍（0-20V）以及卓越的柵極可靠性。在混合并聯(lián)架構(gòu)中，ICeGaN 器件憑借其低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗的特性，將在輕載工況下發(fā)揮主導(dǎo)作用；而IGBT則在高負載或峰值輸出條件下展現(xiàn)優(yōu)勢。該混合方案既受益于IGBT的高飽和電流與雪崩鉗位能力，又兼具ICeGaN 的超高效開關(guān)特性。在高溫環(huán)境下，IGBT的雙極特性使其在更低導(dǎo)通電壓下提前開啟，有效補償ICeGaN的電流損耗；而在低溫條件下，ICeGaN將承擔(dān)更多電流。系統(tǒng)通過智能的檢測與保護功能，動態(tài)優(yōu)化Combo ICeGaN的驅(qū)動模式，同步擴展兩種器件的安全工作區(qū)（SOA），提高系統(tǒng)可靠性。
CGD預(yù)計該方案將于今年進入工程樣機階段并于年底前推出Combo ICeGaN的演示模塊和評估版。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）
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