7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴(kuò)展氮化鎵（GaN）制造技術(shù)已取得突破性進(jìn)展。這一里程碑標(biāo)志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，首批樣品預(yù)計(jì)將于2025年第四季度交付客戶。
圖片來(lái)源：英飛凌官網(wǎng)截圖
氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其卓越的高頻、高效和高功率密度特性，在數(shù)據(jù)中心電源、電動(dòng)汽車車載充電器、可再生能源逆變器以及消費(fèi)電子快速充電等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。傳統(tǒng)上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圓 上制造，限制了其成本效益和產(chǎn)能擴(kuò)張。
英飛凌此次在12英寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的量產(chǎn)準(zhǔn)備，意味著能夠顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，從而有效降低制造成本，并為市場(chǎng)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的GaN解決方案。這不僅將加速GaN技術(shù)在現(xiàn)有應(yīng)用中的普及，也將為其進(jìn)入更廣闊的市場(chǎng)創(chuàng)造條件。
公司表示，此項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展得益于其在材料科學(xué)、晶圓制造工藝以及器件設(shè)計(jì)方面的深厚積累與持續(xù)投入。12英寸晶圓的導(dǎo)入將確保英飛凌能夠滿足日益增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)需求，并鞏固其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
隨著人工智能（AI）算力需求的激增，英飛凌積極響應(yīng)，為AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提供先進(jìn)電源解決方案。英飛凌正與NVIDIA攜手，共同推動(dòng)未來(lái)AI服務(wù)器機(jī)架電源架構(gòu)的變革，以實(shí)現(xiàn)高效率、可靠且可擴(kuò)展的電源轉(zhuǎn)換，此項(xiàng)合作細(xì)節(jié)已于2025年5月22日通過(guò)新聞稿公布。在電池備份單元（BBU）方面，英飛凌在近期發(fā)布的技術(shù)路線圖中，公布了新一代AI數(shù)據(jù)中心BBU解決方案發(fā)展藍(lán)圖，涵蓋從4kW到全球首款12kW的BBU電源方案。
此外，在今年的慕尼黑上海電子展上，英飛凌展示了全球最薄的硅功率晶圓（20微米），通過(guò)降低晶圓厚度將功率損耗減少15%以上，此項(xiàng)技術(shù)可廣泛應(yīng)用于包括AI在內(nèi)的多領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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