從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢(shì)，掀起一場(chǎng)新的半導(dǎo)體革命。
氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠(yuǎn)超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮?，全球?jìng)相角逐研發(fā)，其中亞洲市場(chǎng)表現(xiàn)亮眼，近期傳出新動(dòng)態(tài)。
1、日本NCT全球首發(fā)全氧化鎵基Planar SBD器件
近期，日本株式會(huì)社（NCT）宣布向全球合作客戶(hù)推出其創(chuàng)新的Planar SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）器件。該器件基于全氧化鎵材料制造，標(biāo)志著NCT在氧化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破。
此次推出的Planar SBD器件為Research Sample（RS）級(jí)別，專(zhuān)為科研及早期應(yīng)用探索而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品提供兩種電極尺寸規(guī)格供客戶(hù)選擇：
規(guī)格一：電極尺寸為2.4mm square，適用于特定測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景。
規(guī)格二：電極尺寸為3.2mm square，提供更大的電極面積，滿(mǎn)足不同客戶(hù)的測(cè)試需求。此次發(fā)布的
Planar SBD器件旨在滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)氧化鎵器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)氧化鎵行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
氧化鎵布局上，NCT公司于2021年推出了全球首個(gè)量產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓，并計(jì)劃2028年實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵量產(chǎn)。
2、鎵仁半導(dǎo)體成功制備全球首款8英寸氧化鎵晶圓襯底
今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布，基于自主創(chuàng)新的氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)與大尺寸襯底加工技術(shù)，公司成功制備了全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底，國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時(shí)代。
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source：鎵仁半導(dǎo)體
資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵晶圓襯底尺寸快速演進(jìn)：2022年推出2英寸襯底，2023年推出4英寸襯底，2024年推出6英寸襯底，2025年推出8英寸襯底。
鎵仁半導(dǎo)體指出，未來(lái)氧化鎵應(yīng)用前景廣闊，主要表現(xiàn)在三個(gè)領(lǐng)域：
功率器件領(lǐng)域，尤其是大于650V的中壓、高壓以及特高壓功率器件領(lǐng)域，比如新能源汽車(chē)快充、工業(yè)電源、電網(wǎng)高壓功率模塊等。
高功率射頻器件領(lǐng)域，氧化鎵的電子飽和速度、約翰遜優(yōu)值較高，在射頻器件領(lǐng)域具有很大應(yīng)用潛力，比如通信基站和雷達(dá)系統(tǒng)等，對(duì)于通信、國(guó)防、航空航天等領(lǐng)域具有重要意義。
深紫外光電器件領(lǐng)域，氧化鎵還可用于日盲探測(cè)、輻射探測(cè)等特有領(lǐng)域?！叭彰ぁ弊贤馓綔y(cè)是近年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型探測(cè)技術(shù)，主要應(yīng)用于紫外預(yù)警、紫外偵察、紫外制導(dǎo)和紫外非視線通訊等軍事領(lǐng)域，以及環(huán)境監(jiān)測(cè)、生化檢測(cè)、工業(yè)燃燒過(guò)程控制、醫(yī)學(xué)紫外成像等民用領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體秦妍整理）