近期，中國電機工程學會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經濟日報》采訪時表示，“作為成熟的第三代半導體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產業(yè)會有兩波應用浪潮，第一波在電動汽車領域，第二波在電網(wǎng)領域?？梢钥隙ǖ氖?，碳化硅在電網(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車?！?/p>
“不過，碳化硅器件在應用上的短板，對我國碳化硅產業(yè)鏈的完整性產生了直接影響?！眹译娋W(wǎng)中國電力科學研究院電力電子所副總工程師楊霏說，碳化硅器件在電網(wǎng)應用仍處于示范工程階段，隨著碳化硅產業(yè)對新能源汽車、智能電網(wǎng)等滲透率持續(xù)提升，這一市場需求有望加快打開?！半S著分布式電源進入配網(wǎng)并形成有源配網(wǎng)后，電力電子技術將成為新型電力系統(tǒng)剛需。一旦變成剛需，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求量，較現(xiàn)在將呈現(xiàn)出數(shù)量級的大幅增長”。
據(jù)悉，萬伏千安級碳化硅器件正在加快研發(fā)，在近年內實現(xiàn)樣品研制后將逐步進入商業(yè)化批量應用，屆時國產碳化硅器件有望全面覆蓋高壓輸電領域，以產能與技術的“雙向奔赴”推動新型電力系統(tǒng)建設。
這一背景下，天岳先進以硬核技術助力行業(yè)新突破。
據(jù)天岳先進介紹，目前基于量產的n型碳化硅襯底制備的單極型MOSFET器件主要用于600-1200V的中壓應用場景，對于特高壓系統(tǒng)10kV以上的耐壓器件，p型碳化硅襯底制備的雙極型IGBT器件具有巨大的應用潛力。另外，基于p型襯底的SiC IGBT模塊，可減少50%串聯(lián)器件數(shù)量，降低換流閥損耗40%以上。這種本質性的性能提升，單條特高壓直流線路年節(jié)電可超1億度。
我國已在n型碳化硅襯底領域取得重要進展，p型襯底因其特殊的摻雜工藝和技術門檻，尚處于產業(yè)化黎明期。
在SEMICON China2025展會上，天岳先進全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電p型及12英寸導電n型碳化硅襯底。
source：天岳先進
隨著碳化硅行業(yè)全面邁入“12英寸新時代”，碳化硅器件也將在光伏儲能等清潔能源、5G通訊及高壓智能電網(wǎng)等產業(yè)應用上迎來快速發(fā)展。（集邦化合物半導體整理）