近期，濟南發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項目獲得國家支持。
近年濟南市依托政策扶持、技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)鏈整合，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢。濟南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園匯聚山東天岳、山東晶鎵、比亞迪半導(dǎo)體等龍頭企業(yè)，涵蓋材料、芯片、器件、封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
濟南碳化硅領(lǐng)域，以天岳先進(jìn)、中晶芯源等公司為代表
山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司成立于2010年，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領(lǐng)軍企業(yè)，2022年成功登陸A股科創(chuàng)板。目前該公司已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術(shù)。在SEMICON China2025展會上，天岳先進(jìn)全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。
source：天岳先進(jìn)
天岳先進(jìn)在p型重?fù)诫s、大尺寸碳化硅襯底制備等關(guān)鍵技術(shù)上已取得系列突破，并穩(wěn)固掌握晶體生長、缺陷控制、加工檢測及部件自制等全技術(shù)鏈條。
山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年05月19日，注冊地位于山東省濟南市歷城區(qū)彩石街道虎山路889號，該公司專注于碳化硅（SiC）單晶襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其技術(shù)來源于山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室，擁有20多年的碳化硅單晶襯底開發(fā)經(jīng)驗。
該公司與山東大學(xué)建立了全方位的產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，設(shè)有山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室產(chǎn)業(yè)化基地、山東大學(xué)研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地和山東大學(xué)-中晶芯源碳化硅半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室。
氮化鎵領(lǐng)域，以山東晶鎵等公司為代表
山東晶鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2023年8月，主要從事氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
今年4月， 媒體報道山東大學(xué)與山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司在4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底制備方面取得的重大突破：結(jié)合多孔襯底技術(shù)和應(yīng)力調(diào)控策略成功獲得了低應(yīng)力、高質(zhì)量的4英寸GaN單晶襯底。該4英寸GaN襯底在尺寸、晶體質(zhì)量（FWHM平均值為57.91″，位錯密度為~9.6×105cm-2)、應(yīng)力均一性和表面質(zhì)量方面（無損傷、Ra<0.2 nm）均表現(xiàn)優(yōu)異，達(dá)到國際先進(jìn)水平，為高功率、高頻器件的批量制備奠定了基礎(chǔ)。
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source：晶鎵半導(dǎo)體（圖為GaN襯底測試結(jié)果）
展望未來，隨著產(chǎn)業(yè)鏈完善和技術(shù)迭代，濟南有望成為全國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心增長極，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控貢獻(xiàn)力量。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）