4月15日，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴建功率半導體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價（環(huán)評）公告。此次擴建項目擬新增總投資3.1億元人民幣，旨在進一步提升其在汽車功率半導體領(lǐng)域的產(chǎn)能。
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根據(jù)公告，計劃選址于無錫分公司，新增第二代框架式功率模塊產(chǎn)品150萬片產(chǎn)能。擴建項目完成后，上汽英飛凌無錫分公司的年產(chǎn)能將從現(xiàn)有的260萬個提升至420萬個。
公開資料顯示，上汽英飛凌汽車功率半導體（上海）有限公司由上汽集團（持股51%）與英飛凌（持股49%）于2018年3月合資成立，總部位于上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無錫工廠的擴建項目內(nèi)，在2018下半年開始批量生產(chǎn)。
英飛凌無錫工廠則成立于1995年，前身為西門子半導體無錫工廠，專注于半導體后道封裝測試、功率半導體（如IGBT模塊）及智能卡芯片生產(chǎn)。
今年3月，英飛凌舉行了“無錫新樓啟用暨落戶30周年慶典”活動，歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。
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回顧英飛凌無錫工廠發(fā)展，最早可追溯到2015年，英飛凌在無錫增資，設(shè)立了英飛凌半導體（無錫）有限公司，生產(chǎn)IGBT模塊。2020年11月6日，英飛凌宣布將新增在華投資，擴大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。
英飛凌《年產(chǎn)180萬個汽車功率半導體產(chǎn)品無錫分公司項目》環(huán)評文件顯示，2019年該項目取得無錫市新吳區(qū)安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護局批復，完成第一階段驗收，實現(xiàn)年產(chǎn)汽車功率半導體70萬個生產(chǎn)能力。
2023年，上汽英飛凌新增總投資3.2532億元，在無錫分公司擴建《260 萬個汽車功率半導體產(chǎn)品項目》。英飛凌對無錫全廠生產(chǎn)線生產(chǎn)能力進行重新調(diào)配，將原環(huán)評審批的年產(chǎn)汽車功率半導體180萬個生產(chǎn)規(guī)模擴產(chǎn)至年產(chǎn)260萬個汽車功率半導體產(chǎn)品。該項目已于2024 年5月取得新吳區(qū)行政審批局的立項備案意見。
2025年1月，無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）舉行一季度重大項目，其中提到，英飛凌功率半導體器件項目引進暨無錫生產(chǎn)基地擴產(chǎn)項目正在加緊建設(shè)，總投資15.5億元。據(jù)無錫市人民政府消息，英飛凌無錫基地還在不斷擴大規(guī)模，引進全球最新的第三代功率半導體器件產(chǎn)品，打造國內(nèi)最具規(guī)模、國際技術(shù)一流的先進功率半導體器件生產(chǎn)基地。
值得注意的是，上汽英飛凌的HybridPACK Drive功率模塊兼具高功率密度、低能量損耗的特點，采用英飛凌最先進的第7代IGBT/EDT2芯片和首創(chuàng)的模塊封裝技術(shù)。
公開資料顯示，英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上。該技術(shù)已獲認可并向客戶發(fā)布。另外，英飛凌已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率，推動GaN市場的快速增長。（集邦化合物半導體 王奇 整理）