聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐,聚焦SiC與GaN進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 14:53 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

近日,聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告,這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢(shì),在車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破;而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累,在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合和多元應(yīng)用上持續(xù)發(fā)力。

1、聞泰科技:AI賦能,功率半導(dǎo)體迎來(lái)新機(jī)遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司,業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無(wú)線(xiàn)和功率器件等領(lǐng)域。2024年,公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入,特別是在碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。

4月25日,聞泰科技發(fā)布2024年年報(bào),顯示公司營(yíng)收達(dá)到735.98億元,同比增長(zhǎng)20.23%。其中,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出,實(shí)現(xiàn)營(yíng)收147.15億元,凈利潤(rùn)22.97億元,毛利率達(dá)37.47%。

source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強(qiáng)調(diào)的是,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)區(qū)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,收入連續(xù)四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng),中國(guó)區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%,且在2025年第一季度同比增長(zhǎng)約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。

碳化硅方面, 公司成功推出了高性能車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,該產(chǎn)品憑借其卓越的性能,已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景,展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)潛力。

氮化鎵方面, 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供D-mode(耗盡型)和E-mode(增強(qiáng)型)GaN器件的企業(yè),其產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格,并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付,進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進(jìn)一步滿(mǎn)足全球客戶(hù)對(duì)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求,聞泰科技于2024年6月宣布計(jì)劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā),并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施,彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外,由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車(chē)規(guī)級(jí)晶圓廠已順利完成車(chē)規(guī)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車(chē)規(guī)級(jí)芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺(tái)階,為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在報(bào)告中,聞泰科技指出,AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開(kāi)辟了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。在AI服務(wù)器和AI終端中,公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率,降低能耗和成本,并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸,從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時(shí),隨著端側(cè)算力的發(fā)展,GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶(hù)中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 

2、三安光電:深耕化合物半導(dǎo)體,碳化硅業(yè)務(wù)多點(diǎn)開(kāi)花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè),穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù),并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source:三安光電

根據(jù)最新報(bào)告,三安光電在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)主營(yíng)收入43.12億元,較上年同期增長(zhǎng)21.23%。更為顯著的是,歸屬于母公司的凈利潤(rùn)達(dá)到2.12億元,同比大幅增長(zhǎng)78.46%??鄢墙?jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為7469萬(wàn)元,較去年同期激增331.43%,展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。

回顧2024年,三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約118.5億元,同比增長(zhǎng)約14.61%。盡管年度凈利潤(rùn)約為2.5億元,同比下降約31.02%,但值得關(guān)注的是,集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出,實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入同比增長(zhǎng)23.86%,其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭,為公司整體營(yíng)收增長(zhǎng)注入了新的動(dòng)能。

source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉,在2024年,三安光電集成電路業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)展,其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點(diǎn)發(fā)展方向,公司圍繞車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用,加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代,并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目落地。湖南三安作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái),已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月,8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月,8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)正在建設(shè)中,擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來(lái)看:

產(chǎn)品布局:湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè),其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域,第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品:公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局,應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng),部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項(xiàng)目進(jìn)展:湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線(xiàn),首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月,規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬(wàn)片/年。湖南三安與理想汽車(chē)成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現(xiàn)通線(xiàn),全橋功率模塊已在2025年一季度實(shí)現(xiàn)批量下線(xiàn)。

而在射頻前端領(lǐng)域,該公司構(gòu)建了專(zhuān)業(yè)的射頻代工平臺(tái)和產(chǎn)品封裝平臺(tái),提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場(chǎng)。受益于終端市場(chǎng)需求的回暖以及客戶(hù)供應(yīng)鏈的調(diào)整,公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入較上年同期實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng),鞏固了其在射頻前端國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域,公司面向通信基站市場(chǎng)提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺(tái),并積極投入消費(fèi)級(jí)射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā),客戶(hù)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)突破,與國(guó)際客戶(hù)的合作產(chǎn)品已通過(guò)初步驗(yàn)證。(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

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