7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴展氮化鎵（GaN）制造技術已取得突破性進展。這一里程碑標志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關鍵一步，首批樣品預計將于2025年第四季度交付客戶。
圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖
氮化鎵作為新一代寬禁帶半導體材料，以其卓越的高頻、高效和高功率密度特性，在數(shù)據(jù)中心電源、電動汽車車載充電器、可再生能源逆變器以及消費電子快速充電等多個領域展現(xiàn)出巨大潛力。傳統(tǒng)上，GaN器件主要在6英寸或8英寸#晶圓 上制造，限制了其成本效益和產(chǎn)能擴張。
英飛凌此次在12英寸晶圓上成功實現(xiàn)GaN技術的量產(chǎn)準備，意味著能夠顯著提升單片晶圓的芯片產(chǎn)出量，從而有效降低制造成本，并為市場提供更具競爭力的GaN解決方案。這不僅將加速GaN技術在現(xiàn)有應用中的普及，也將為其進入更廣闊的市場創(chuàng)造條件。
公司表示，此項技術進展得益于其在材料科學、晶圓制造工藝以及器件設計方面的深厚積累與持續(xù)投入。12英寸晶圓的導入將確保英飛凌能夠滿足日益增長的GaN市場需求，并鞏固其在功率半導體領域的領導地位。
隨著人工智能（AI）算力需求的激增，英飛凌積極響應，為AI服務器和數(shù)據(jù)中心提供先進電源解決方案。英飛凌正與NVIDIA攜手，共同推動未來AI服務器機架電源架構的變革，以實現(xiàn)高效率、可靠且可擴展的電源轉換，此項合作細節(jié)已于2025年5月22日通過新聞稿公布。在電池備份單元（BBU）方面，英飛凌在近期發(fā)布的技術路線圖中，公布了新一代AI數(shù)據(jù)中心BBU解決方案發(fā)展藍圖，涵蓋從4kW到全球首款12kW的BBU電源方案。
此外，在今年的慕尼黑上海電子展上，英飛凌展示了全球最薄的硅功率晶圓（20微米），通過降低晶圓厚度將功率損耗減少15%以上，此項技術可廣泛應用于包括AI在內(nèi)的多領域。
（集邦化合物半導體整理）
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