英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強化，持續(xù)鞏固其市場地位。公司計劃在未來五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時推出新一代產(chǎn)品平臺并積極布局車規(guī)級、AI服務(wù)器等高增長應用市場。
產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸
英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴張。公司計劃將當前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長遠目標是未來五年內(nèi)將月產(chǎn)能進一步擴大至70000片。這一增長得益于其8英寸晶圓制造工藝的持續(xù)成熟與超過95%的良率。
全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)路線的深度博弈。近期，臺積電宣布計劃在兩年內(nèi)退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)，其主要原因可能在于GaN代工模式的投資回報率不如預期，且市場競爭激烈，公司內(nèi)容調(diào)整聚焦先進制程等。與此同時，英飛凌則高調(diào)推進12英寸GaN晶圓樣品，并預計在2025年第四季度向客戶提供首批樣品，試圖通過大尺寸晶圓實現(xiàn)成本優(yōu)勢和產(chǎn)能擴張，這無疑引發(fā)了行業(yè)對未來主流技術(shù)路線的激烈討論。
面對這種分歧，英諾賽科堅定推行其IDM（設(shè)計-制造-封測一體化）模式，并把戰(zhàn)略重心明確放在8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度上。公司高層判斷，盡管12英寸晶圓理論上可帶來更高的芯片產(chǎn)出，但其大規(guī)模商業(yè)化仍面臨核心挑戰(zhàn)，尤其是MOCVD設(shè)備（金屬有機化合物氣相沉積設(shè)備）的成熟度不足，尚無公開的12英寸GaN外延解決方案。
英諾賽科預計，12英寸GaN的產(chǎn)業(yè)化最早要到2030年才能進入大規(guī)模商業(yè)化階段。在此之前，公司將致力于最大化8英寸平臺的規(guī)模效應和成本優(yōu)勢，持續(xù)提升良率并擴大產(chǎn)能，以滿足當前及未來幾年市場對高性能、高可靠性氮化鎵器件的旺盛需求。
產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新：700V平臺發(fā)布，多領(lǐng)域技術(shù)突破
近期，英諾賽科發(fā)布了基于700V SolidGaN平臺的四款新品：ISG6123TA/TP、ISG6124TA/TP。這些產(chǎn)品采用TOLL/TOLT主流大功率封裝，旨在實現(xiàn)對現(xiàn)有硅/SiC控制器生態(tài)的“無感替換”。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在兼容性、性能表現(xiàn)和應用效益三個方面。
圖片來源：英諾賽科
在兼容性上，新品支持10–24V寬柵壓驅(qū)動，兼容SiC/IGBT控制器，具備引腳兼容設(shè)計，并集成了LDO柵極鉗位，有效消除了Vgs過沖風險。
圖片來源：英諾賽科
性能表現(xiàn)方面，新品提供100V/ns dv/dt保護、0.5Ω米勒鉗位，零反向恢復電荷（Qrr=0）使得開關(guān)損耗降低40%，并擁有超低熱阻（最低0.46℃/W）。
在應用效益方面，新品在1–6kW服務(wù)器、空調(diào)、工業(yè)電源等大功率應用中，可提升效率1–2%，功率密度提高50%。與650kHz SiC方案相比，這些新器件的開關(guān)頻率可推高至2MHz，系統(tǒng)元件數(shù)量可減少60%。
近期，英諾賽科董事長駱薇薇與CEO吳金剛在蘇州總部接受《科創(chuàng)板日報》專訪時透露，公司正在三大方向加速迭代，公司車規(guī)級高壓雙向?qū)℅aN器件已完成送樣并獲得客戶積極反饋，有望成為新能源汽車OBC、DC-DC及激光雷達電源的核心部件。另外，面向AI服務(wù)器/GPU供電的低壓高頻平臺目標開關(guān)頻率達8–10MHz，旨在通過顯著縮減磁性元件體積，滿足下一代機柜對極致功率密度的需求。同時，100V半橋合封芯片已批量導入數(shù)據(jù)中心48V轉(zhuǎn)12V模塊、機器人伺服電機等應用場景，助力系統(tǒng)效率提升1–2%，功率密度提高50%。
港股上市與戰(zhàn)略合作助推高增長
英諾賽科已于2024年12月30日在香港聯(lián)合交易所主板上市，成為全球首家實現(xiàn)8英寸GaN晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM上市公司。
在戰(zhàn)略合作方面，意法半導體（ST）于6月30日將其所持英諾賽科H股禁售期延長一年至2026年6月29日。此舉體現(xiàn)了ST作為英諾賽科IPO階段重要基石投資者對其長期價值的認可。該行動也支持雙方正在執(zhí)行的聯(lián)合開發(fā)與制造協(xié)議，該協(xié)議旨在利用ST的海外晶圓廠拓展全球產(chǎn)能，同時ST可借助英諾賽科珠海、蘇州兩大基地的8英寸GaN產(chǎn)線，實現(xiàn)其在中國市場的本土化制造。
從市場需求來看，英諾賽科2024年財報數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域訂單增長顯著：車規(guī)芯片交付量同比增長986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長669.8%。這表明氮化鎵在高功率、高可靠性應用場景中的滲透已進入快速增長階段。
英諾賽科憑借其完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局和在關(guān)鍵應用領(lǐng)域的突破，正為達成其未來五年7萬片月產(chǎn)能的目標奠定堅實的技術(shù)與市場基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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