近期，媒體報(bào)道Resonac（原昭和電工公司）和日本東北大學(xué)正探索使用由硅晶片制造過程中產(chǎn)生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為SiC單晶材料的原材料。
據(jù)悉，雙方目前已經(jīng)完成了基礎(chǔ)研究，并已開始針對實(shí)際應(yīng)用的全面研究。在基礎(chǔ)研究中，東北大學(xué)在其碳回收示范研究中心使用微波加熱硅污泥和二氧化碳合成了SiC粉末，而Resonac則致力于將SiC粉末應(yīng)用于SiC單晶襯底。
研究人員透露，如果這項(xiàng)技術(shù)成功商業(yè)化，SiC功率半導(dǎo)體不僅有助于產(chǎn)品節(jié)能，還可以減少制造過程中的二氧化碳排放、硅污泥和二氧化碳的回收，全面減少對環(huán)境的影響。
資料顯示，Resonac正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)業(yè)化。2024年9月，該公司位于山形縣東根市的“山形工廠”正式動(dòng)工新建5832m2的SiC晶圓大樓（襯底+外延），預(yù)計(jì)在2025年第三季度竣工，同年量產(chǎn)8 英寸SiC襯底 。Resonac 8英寸SiC外延片已做到與現(xiàn)有6英寸產(chǎn)品同等級品質(zhì)，樣品評估進(jìn)入商業(yè)化最后階段；同時(shí)，該公司正通過優(yōu)化工藝參數(shù)和用料來壓縮生產(chǎn)時(shí)間、提高良率，以使8英寸的綜合成本低于6英寸。
2024年9月，Resonac與法國Soitec達(dá)成協(xié)議，將SmartSiC?鍵合襯底技術(shù)引入8英寸平臺(tái)。Resonac提供單晶SiC，Soitec負(fù)責(zé)鍵合與薄膜化，有望把單片材料成本降低50%以上。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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