半導體封測廠微矽電子昨（22）日舉行上市前業(yè)績發(fā)表會，董事長張秉堂表示，公司布局多年的氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半導體測試、薄化及切割技術，預期今年將持續(xù)受惠于車用產(chǎn)業(yè)需求，推動公司營運向上成長，目前微矽電子在中國臺灣竹南新擴建的廠房有望在第2季投入量產(chǎn)。
微矽電子目前主要提供半導體測試、晶圓薄化與半導體封裝的整合性服務，并鎖定電源效率相關的功率元件與電源管理IC加工。此外，微矽電子表示，近年亦積極投入GaN與SiC的測試、薄化與切割技術，相關技術處于領先地位。
其中，微矽電子在竹南廠區(qū)擴建的新廠房，預計今年第1季將可望完工，第2季完成無塵室建置，同季就可投入量產(chǎn)，將全力搶占GaN、SiC等相關商機。
除了微矽電子，一些在化合物半導體布局的臺廠近期也有新動作。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
近期臺系企業(yè)齊發(fā)力
在SiC方面，1月11日，半導體材料廠商環(huán)球晶圓宣布，其已與一線大廠簽長期供料合約，并預估今年SiC晶圓產(chǎn)能在原先6000片/月的基礎上實現(xiàn)翻倍。此外，環(huán)球晶圓還表示，公司今年在SiC襯底的重點工作是完成晶圓從6吋到8吋的轉(zhuǎn)化，已陸續(xù)送樣給客戶。據(jù)介紹，環(huán)球晶圓在GaN領域也有布局，但營收僅為SiC的十分之一。
再看GaN領域，GaN廠商鴻鎵科技在本月初表示，其提供的65W GaN快充，通過了日本PSE認證，公司一舉成為中國臺灣首家打入要求嚴格的日商供應鏈的公司。而同為GaN廠商的偉詮電子作為Transphorm的長期合作伙伴，隨著Transphorm被日本IDM大廠瑞薩電子收購，也可望獲得打入瑞薩供應鏈的機會。
除了SiC和GaN，中國臺灣地區(qū)在第四代半導體材料氧化鎵（Ga2O3）領域亦有新進展。1月18日，臺灣中山大學晶體研究中心與臺灣應用晶體公司及其所屬集團簽訂“大尺寸Ga2O3晶體生長”項目合作協(xié)議，企業(yè)出資5000萬新臺幣（折合人民幣約1150萬元）投入Ga2O3單晶研究，目標三年內(nèi)成功生產(chǎn)6吋Ga2O3單晶。
據(jù)悉，中國臺灣中山大學晶體研究中心去年已成功生長出直徑6吋的SiC晶體，技術轉(zhuǎn)移中國臺灣應用晶體公司及其所屬集團，讓其有信心與中國臺灣中山大學繼續(xù)合作; 此外，研究中心過去也曾生長出直徑40mm的Ga2O3單晶，未來三年將努力實現(xiàn)技術突破。
小結
近年來，受全球“雙碳政策”以及汽車電動化趨勢的影響，以SiC和GaN還有Ga2O3為代表的化合物半導體開始頻繁出圈。中國臺灣是世界半導體領域極具影響力的地區(qū)之一，臺系廠商也感受到了風向變動，并相繼開展動作。但在化合物半導體領域，不乏重注押寶的玩家，臺系廠商在這一領域能否擁有更多的話語權，仍需時間來佐證。（文：集邦化合物半導體Morty）
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