10月23日，常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱“縱慧芯光”）正式宣布，公司旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”已完成封頂。
據(jù)此前中電三公司與武進(jìn)日報(bào)披露，該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。
source：縱慧芯光
資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和制造。企業(yè)自有6寸外延產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產(chǎn)產(chǎn)能，并建有封裝產(chǎn)線。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子，汽車電子，光通訊等領(lǐng)域。
企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對其進(jìn)行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。
值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導(dǎo)體光電子平臺項(xiàng)目也于9月封頂。
該項(xiàng)目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺，進(jìn)行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力。項(xiàng)目于2023年12月開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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