11月6日，據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進近日向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。天岳先進表示，高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底將加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現(xiàn)高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。
source：天岳先進
據(jù)介紹，針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術難題，天岳先進布局液相法技術，在2023年公布了全球首個8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。
據(jù)悉，液相法具有生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進目前在液相法領域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。其通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結晶性良好。
市占率方面，天岳先進n型產(chǎn)品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品連續(xù)五年全球市占率排名第三。
2023年，天岳先進與英飛凌、博世等簽署了長期合作協(xié)議。目前，天岳先進的車規(guī)級產(chǎn)品獲得了國際客戶的認可，實現(xiàn)了6英寸和8英寸碳化硅導電型襯底產(chǎn)品批量銷售。高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品，為高頻高輸出的射頻器件提供材料品質(zhì)基礎，適用于5G基站射頻器件、衛(wèi)星通信等應用。（來源：天岳先進，集邦化合物半導體整理）
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