5月16日，中國氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強強聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應用突破，為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入新動能。
資料顯示，NextGO Epi成立于2025年， 專注于高品質(zhì) β-Ga?O? (氧化鎵) 外延片的大規(guī)模制造，旨在為高功率和光電探測應用提供關(guān)鍵材料。NextGO Epi 是德國萊布尼茨晶體生長研究所（IKZ）的孵化企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp 博士和 Andreas Fiedler 博士共同創(chuàng)立。
source：鎵仁半導體——圖為NextGO Epi?坐落于德國柏林萊布尼茨晶體研究所
鎵仁半導體則是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導體引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法單晶生長新技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，創(chuàng)造了從2英寸到8英寸，每年升級一個尺寸的行業(yè)紀錄；開發(fā)了國內(nèi)首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備，全面對外銷售。
業(yè)界指出，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場強和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達、電動汽車充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。
我國在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達國際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導體等。與此同時，西安電子科技大學、浙江大學等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）