文章分類： 企業(yè)

國產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

羅姆開發(fā)100V功率MOSFET新產(chǎn)品，適用于AI服務(wù)器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:26 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
6月3日，羅姆宣布開發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET。 圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) 新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已...  [詳內(nèi)文]

總投資2.65億元，第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶烏魯木齊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:22 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
6月4日，烏魯木齊甘泉堡經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（工業(yè)區(qū)）（以下簡稱“甘泉堡經(jīng)開區(qū)”）與南京儲(chǔ)芯電子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式簽署協(xié)議，標(biāo)志著總投資2.65億元的第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶。 圖片來源：甘泉堡經(jīng)開區(qū)零距離 據(jù)了解，該項(xiàng)目計(jì)劃于2025年9月正式開工建設(shè)，并力...  [詳內(nèi)文]

總投資4.7億元，成都高新區(qū)微波射頻產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目啟動(dòng)建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:02 |
| 分類: 企業(yè) , 射頻
成都高新區(qū)正全力打造“微波之都”，近日，據(jù)成都高新區(qū)管委會(huì)官方網(wǎng)站及《成都日?qǐng)?bào)》消息，其核心項(xiàng)目——微波射頻產(chǎn)業(yè)園西區(qū)已于近日正式啟動(dòng)建設(shè)。該項(xiàng)目總投資達(dá)4.7億元，聚焦“制造基地+測試認(rèn)證中心”功能，旨在進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈條，搶占微波射頻產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新高地。 圖片來源：成都...  [詳內(nèi)文]

碳化硅領(lǐng)域再吸金，兩家企業(yè)獲大額融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）領(lǐng)域迎來兩筆重要融資，#遼寧漢硅半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱 “遼寧漢硅”）完成A+輪融資，#合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司（以下簡稱 “鈞聯(lián)電子”）完成近億元A輪融資。這兩起融資事件凸顯了資本市場對(duì)碳化硅技術(shù)商業(yè)化前景的高度關(guān)注，也體現(xiàn)中國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域...  [詳內(nèi)文]

宏微科技透露碳化硅芯片以及模塊進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，宏微科技舉辦投資者交流會(huì)，對(duì)外透露了碳化硅芯片以及模塊最新進(jìn)展。 宏微科技表示，第三代半導(dǎo)體是公司今年主要聚焦的方向。2025年第一季度，公司碳化硅產(chǎn)品加速出貨，產(chǎn)品收入占比超20%，同比增長顯著。 據(jù)悉，宏微科技自研的SiC SBD芯片已通過終端客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)批量出貨。模...  [詳內(nèi)文]

又一企業(yè)取得12英寸碳化硅晶體新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 15:15 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，合盛硅業(yè)股份有限公司旗下子公司 —— 寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發(fā)出 12 英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并同步啟動(dòng)了針對(duì)大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等工藝的系統(tǒng)研究。這一成果標(biāo)志著我國在 SiC 大尺寸晶體制造領(lǐng)域取得了具有里程碑意義的技術(shù)突破。...  [詳內(nèi)文]

3個(gè)碳化硅“揭榜掛帥”項(xiàng)目獲延期攻關(guān)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:25 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，山西省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布重要通知，經(jīng)省科技廳第13次黨組（擴(kuò)大）會(huì)議審議通過，同意7項(xiàng)省科技重大專項(xiàng)計(jì)劃“揭榜掛帥”（半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域）項(xiàng)目延期至2025年12月。 圖片來源：山西省科學(xué)技術(shù)廳通知截圖 此次延期的7個(gè)項(xiàng)目主要是半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，包含三個(gè)碳化硅領(lǐng)域項(xiàng)目，分別...  [詳內(nèi)文]

SiC新貴披露：2025年底8英寸SiC長晶爐將擴(kuò)增至百臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:25 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
中國臺(tái)灣SiC廠商#格棋化合物半導(dǎo)體?近期透露了旗下SiC項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展。目前，格棋正積極部署8英寸SiC晶圓產(chǎn)能，預(yù)計(jì)至2025年底，8英寸SiC長晶爐將擴(kuò)增至百臺(tái)規(guī)模，并將正式進(jìn)軍日本、歐洲與北美等國際市場，進(jìn)一步強(qiáng)化全球戰(zhàn)略布局。 據(jù)官網(wǎng)資料顯示，格棋成立于2022年，公司長...  [詳內(nèi)文]