近日，天岳先進發(fā)布了2024年業(yè)績預(yù)告，公司利潤扭虧為盈，上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底擴產(chǎn)計劃加速推進中。與此同時，多家廠商在8英寸碳化硅賽道上也正全力沖刺，有望在2025年迎來關(guān)鍵進展，共同推動產(chǎn)業(yè)加速升級。
天岳先進2024年利潤扭虧為盈，A+H上市加速邁進
天岳先進預(yù)計2024年年度實現(xiàn)營業(yè)收入17.5億元至18.5億元，與上年同期相比，將增加4.99億元至5.99億元，同比增長39.92%到47.92%。預(yù)計凈利潤為1.7億元至2.05億元，與上年同期相比，將增加2.16億元至2.51億元，同比增長471.82%到548.38%，成功實現(xiàn)扭虧為盈。
預(yù)計2024年年度歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為1.44億元至1.79億元，與上年同期相比，將增加2.57億元至2.92億元，同比增長227.75%到258.80%。
關(guān)于業(yè)績增長，天岳先進表示，全球能源電氣化、低碳化發(fā)展，以及電動汽車800V高壓平臺加速推進，碳化硅襯底材料需求大增。公司4-8英寸襯底產(chǎn)品實現(xiàn)批量供應(yīng)，2024年產(chǎn)能利用率提升，產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，成本優(yōu)化，高品質(zhì)導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品加速“出?！保苿訝I收和毛利大幅增長。
值得注意的是，2024年12月27日，天岳先進宣布擬在境外發(fā)行股份（H股），并在香港聯(lián)交所上市。公司表示，此舉是為了加快公司的國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務(wù)布局，增強公司的境外融資能力，進一步提高公司的資本實力和綜合競爭力。
若上市成功，天岳先進將成為“A+H”上市公司。目前天岳先進正在為本次H股上市做前期籌備工作，相關(guān)細節(jié)還有待披露。
多家廠商8英寸碳化硅將在2025年迎來進展，加速產(chǎn)業(yè)升級
在8英寸碳化硅領(lǐng)域，天岳先進不僅實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底本土化替代，還率先實現(xiàn)海外客戶批量銷售。目前天岳先進上海臨港工廠已經(jīng)能夠達到年產(chǎn)30萬片導(dǎo)電型襯底的大規(guī)模量產(chǎn)能力，并且該工廠二期8英寸碳化硅襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中。
除了天岳先進外，還有各個廠商也在積極布局，近期有望取得了諸多新進展。
士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目總投資120億元。目前一期正在進行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進行試生產(chǎn)。一期項目達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片，兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。
安意法半導(dǎo)體方面，近期據(jù)安意法半導(dǎo)體副總經(jīng)理李志勇介紹，三安光電和意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項目，預(yù)計到2025年2月底生產(chǎn)線通線并開始投片生產(chǎn)，有望三季度末實現(xiàn)大規(guī)模批量生產(chǎn)。
項目預(yù)計投資總額達32億美元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，2028年全面達產(chǎn)。芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線。其8英寸碳化硅產(chǎn)線計劃總投資金額為9.61億元，全面建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模，計劃2025年內(nèi)提早實現(xiàn)量產(chǎn)。
湖南三安SiC項目總投資160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。該項目此前預(yù)計到2024年12月，8英寸SiC芯片正式投產(chǎn)，達產(chǎn)后具備年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。
據(jù)行業(yè)內(nèi)最新消息，目前該項目8英寸碳化硅芯片設(shè)備正在安裝調(diào)試中，投產(chǎn)腳步漸近。
方正微電子Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線原預(yù)計2024年底通線，長遠規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。其Fab1當(dāng)前已實現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預(yù)計2025年具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子）
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