受益于新能源革命，電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應用的多點爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導體進入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。
近年來，臺灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導體產業(yè)的發(fā)展。
01、2022年總產值791億元，年減4.5%
日前，據(jù)臺媒報道，光電科技工業(yè)協(xié)進會（PIDA）產研中心指出，由于全球經濟成長趨緩等因素，使得全球消費市場萎縮，臺灣地區(qū)化合物半導體產業(yè)成長也遭受逆風。臺灣化合物半導體產業(yè)（不含LED部分）在2022年度總產值達新臺幣791億新臺幣，較2021年度總產值828億新臺幣，年成長率小幅衰退4.5%。
臺灣化合物半導體季產值趨勢（圖：PIDA）
以產業(yè)鏈來看，臺灣地區(qū)化合物半導體2022年度在上游設計、中游制造與下游封測的產值分別為新臺幣141億、501億及149億，年增率分別為-5.7%、-7.5%及8.3%，其中將制造部份再細分，可以發(fā)現(xiàn)功率元件與基板因電動車及節(jié)能減碳等需求帶動仍成長，但通訊元件則是因為手機市場需求衰退等因素，而呈現(xiàn)減少趨勢。
02、雖遇逆風，各大廠信心不減
據(jù)介紹，雖然臺灣地區(qū)化合物半導體在2022年時產值遇到逆風而呈現(xiàn)下滑狀態(tài)，但由于電動車、充電樁、服務器以及5G基地臺等需求的成長，和政府單位對產業(yè)的持續(xù)推動，臺灣地區(qū)化合物半導體廠商均看好這個未來仍會持續(xù)蓬勃發(fā)展。
目前，主要廠商如臺積電、環(huán)球晶、盛新材料、嘉晶、漢磊以及穩(wěn)懋等均從2021年開始陸續(xù)進行擴廠規(guī)劃以增加產能，新的產能預計在2023至2024年間會陸續(xù)開出，屆時產業(yè)將會有爆發(fā)性的成長。
臺積電
早在2014年，臺積電就看中了第三代半導體的市場機會，開始在其6英寸晶圓廠制造GaN組件。
2020年，臺積電為ST提供分立產品供應GaN IC，已促成累計超過1 300萬顆氮化鎵芯片出貨；納微半導體專有的 GaN 工藝設計套件 (PDK) 是基于臺積電的 GaN-on-Si 平臺開發(fā)的，月出貨量超 100 萬個 GaNFast 電源 IC，總出貨量超 1300 萬個，場失效為零。
2021年，臺積電通過了第一代650V增強型GaN高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的改進版本，進入全產能量產，市場已推出超過130款充電器，為此臺積電不斷擴大產能以滿足客戶需求。
其第二代650V和100V功率E-HEMT經過研發(fā)后，F(xiàn)OM（品質因數(shù)）提升50%，將于2022年投產；100V耗盡型GaN高電子遷移率晶體管（D-HEMT）完成器件開發(fā)，預計也于2022年投產 。除此之外，臺積電甚至已經開始第三代650V電源E-HEMT的研發(fā)，并預計2025年交付。
臺亞
1月13日，投資中國臺灣事務所召開“歡迎臺商回臺投資行動方案”聯(lián)審會議，臺亞半導體斥資近90億臺幣擴大投資臺灣的方案獲通過。
根據(jù)投資方案，臺亞半導體將在竹科廠房興建無塵室，并增設智慧化產線、導入生產監(jiān)控數(shù)位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導體的研發(fā)與制造，并開拓全球市場。
臺亞2021年開始籌建積亞半導體，專注開發(fā)碳化硅（SiC）襯底的高功率元件。未來更進一步規(guī)劃下半年擴大臺亞現(xiàn)有廠房潔凈室區(qū)域，投入氮化鎵（GaN）磊晶及元件的研發(fā)及生產，預計于2023年前提供樣品供合作客戶進行驗證。
聯(lián)電
2021年聯(lián)電通過投資聯(lián)穎，切入第三代半導體領域。計劃從6英寸GaN入手，之后將展開布局SiC，并向8英寸晶圓發(fā)展。
聯(lián)電表示，公司早已開始布局第三代半導體，并且與比利時微電子研究中心（IMEC）進行技術研發(fā)合作，正積極將相關技術朝平臺化發(fā)展，為IC設計業(yè)者提供標準化的技術平臺。針對這項技術平臺的建立，聯(lián)電將會以提供功率、射頻元件方案為主，初期會以GaN技術先行。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）
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