6.98億,國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

昨(22)日,國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布,根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃,擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)(最終購買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)),并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。

項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)域,投資預(yù)計(jì)為6.98億元,其中土地使用權(quán)購置費(fèi)預(yù)計(jì)0.40億元,設(shè)計(jì)采購施工總承包費(fèi)用預(yù)計(jì)6.02億元。

據(jù)公告,若國博電子本次成功購得標(biāo)的地塊,計(jì)劃在接收標(biāo)的土地之日起的6個月內(nèi)開工建設(shè),并在開工后24個月內(nèi)完成竣工驗(yàn)收備案,預(yù)計(jì)在竣工驗(yàn)收之日后24個月實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

國博電子成立于2000年,主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。建立了以化合物半導(dǎo)體為核心的技術(shù)體系和系列化產(chǎn)品布局,產(chǎn)品主要包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等,覆蓋軍用與民用領(lǐng)域,是目前國內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R組件及系列化射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的領(lǐng)先企業(yè)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)招股書,公司直接控股股東為國基南方,持有公司 39.81%的股份。中國電科通過國基南方、中國電科五十五所和中電科投資間接控制公司61.62%的股份,為公司實(shí)際控制人。

公司于2022年7月上市,上市大漲39.08%,市值達(dá)388億元。

2022年前三季度,公司主營收入26.61億元,同比上升59.71%;歸母凈利潤4.02億元,同比上升37.63%;扣非凈利潤3.86億元,同比上升38.48%。

其中,第三季度主營收入9.25億元,同比上升73.29%;單季度歸母凈利潤1.4億元,同比上升40.6%;單季度扣非凈利潤1.32億元,同比上升38.45%。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)

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