東微半導(dǎo)披露年度業(yè)績(jī)報(bào)告稱，2022年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.16億元，同比增長(zhǎng)42.74%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.84億元，同比增長(zhǎng)93.57%。
東微半導(dǎo)稱，公司聚焦于光伏逆變及儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)、新能源汽車(chē)直流充電樁、服務(wù)器電源等高景氣賽道，營(yíng)業(yè)收入持續(xù)增加，充分受益于功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性需求分化紅利；并通過(guò)不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作關(guān)系，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。公司通過(guò)數(shù)字化手段不斷提高運(yùn)營(yíng)效率，期間費(fèi)用保持相對(duì)穩(wěn)定。
公司主營(yíng)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)直流充電樁、各類(lèi)工業(yè)和通信電源、車(chē)載充電機(jī)以及消費(fèi)類(lèi)電子、適配器等領(lǐng)域。公司業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)主要系受前述應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)性需求增長(zhǎng)、技術(shù)迭代及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素影響。
SiC器件（含Si2C MOSFET）業(yè)務(wù)方面，東微半導(dǎo)表示，公司積極布局基于第三代功率半導(dǎo)體SiC材料的功率器件領(lǐng)域。報(bào)告期內(nèi)，公司開(kāi)發(fā)出SiC二極管，并發(fā)明具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Si2C MOSFET。其中，Si2C MOSFET已通過(guò)客戶的驗(yàn)證并開(kāi)始小批量供貨，應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)、光伏逆變及儲(chǔ)能、高效率通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器高效率電源等，實(shí)現(xiàn)了對(duì)采用傳統(tǒng)技術(shù)路線的SiC MOSFET的替代，市場(chǎng)前景廣闊。
東微半導(dǎo)表示，2022年，公司積極推進(jìn)主營(yíng)產(chǎn)品高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET及TGBT產(chǎn)品平臺(tái)的技術(shù)迭代升級(jí)，優(yōu)化8英寸與12英寸芯片代工平臺(tái)的產(chǎn)品布局，取得較好成效。進(jìn)一步加大第三代半導(dǎo)體、第四代半導(dǎo)體材料等前瞻性研發(fā)投入，取得突破性進(jìn)展。截至報(bào)告期末，公司共計(jì)擁有產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)2,196余款，包括高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品（包括超級(jí)硅 MOSFET）1,220款，中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品816款，TGBT產(chǎn)品160款及多款SiC器件（含Si2C MOSFET）。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）
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