重慶三安8英寸碳化硅襯底廠月底投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 29 日 18:05 | 分類 碳化硅SiC

據(jù)《重慶新聞聯(lián)播》報道,在西部(重慶)科學(xué)城,總投資約300億元的三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)入收尾階段,其中,8英寸SiC襯底廠預(yù)計本月投產(chǎn),比原計劃提前2個月。

據(jù)了解,三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目包含建設(shè)一座8英寸SiC晶圓(芯片)廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠,預(yù)計總投資約300億元人民幣,將整合8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造。

其中,晶圓廠由三安光電與意法半導(dǎo)體合資32億美元成立,雙方為此在重慶設(shè)立合資公司安意法半導(dǎo)體有限公司(注冊資本為6.12億美元),三安光電和意法半導(dǎo)體分別持股51%和49%。

日前,三安光電在半年報中披露,安意法生產(chǎn)設(shè)備將在今年Q3陸續(xù)進(jìn)場安裝和調(diào)試,預(yù)計11月份將實(shí)現(xiàn)通線,通線后將逐步釋放產(chǎn)能,未來將主要生產(chǎn)8英寸SiC外延和芯片,銷售給意法半導(dǎo)體。合資公司規(guī)劃產(chǎn)能將于2028 年達(dá)產(chǎn),達(dá)成后產(chǎn)能為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片/年,面向新能源汽車主驅(qū)逆變器、充電樁和車載充電器等應(yīng)用。

作為配套,三安光電在重慶同步建設(shè)一座8英寸襯底廠,并為此設(shè)立了重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(湖南三安的全資子公司),注冊資本為18億元。該工廠預(yù)計總投資額為70億人民幣,占地276畝,達(dá)產(chǎn)后預(yù)計8英寸SiC襯底48萬片/年。據(jù)半年報披露,該襯底廠預(yù)計8月底將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線。未來,重慶三安將匹配生產(chǎn)碳化硅襯底供應(yīng)給安意法

值得一提的是,意法半導(dǎo)體正在推進(jìn)旗下晶圓廠從6英寸向8英寸過渡,而湖南三安項(xiàng)目的加快建設(shè)將一定程度上助推意法半導(dǎo)體加速向8英寸轉(zhuǎn)型。

根據(jù)6月消息顯示,意法半導(dǎo)體計劃明年第三季度意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠將過渡到8英寸;新加坡的晶圓廠隨后也將過渡到8英寸;而在中國的合資工廠安意法則預(yù)計明年第四季度開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓。按照最新進(jìn)度,8英寸晶圓廠預(yù)計年底通線后將逐步釋放產(chǎn)能,而8英寸襯底廠提前到本月底投產(chǎn),表明湖南三安已提前做好準(zhǔn)備,匹配后續(xù)安意法對襯底材料的需求。

市場需求方面,根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢預(yù)測,2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。

碳化硅市場規(guī)模

未來,隨著兩座工廠產(chǎn)能的釋放以及下游需求的持續(xù)增長,湖南三安的SiC業(yè)務(wù)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺,帶動三安光電整體業(yè)績進(jìn)一步增長。就今年上半年來看,三安光電實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入76.79億元,同比增長18.70%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元,同比增長8.44%。其中,湖南三安實(shí)現(xiàn)營收5.12億元,凈利潤為299萬元。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理)

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