2月20日，歐盟委員會(huì)宣布批準(zhǔn)德國政府對英飛凌位于德累斯頓的智能功率半導(dǎo)體晶圓廠授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補(bǔ)貼，用于其在德國德累斯頓建設(shè)新的半導(dǎo)體制造工廠。
公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設(shè)，目標(biāo)是在2026年投入使用，2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后的工廠將主要制造分立功率器件和模擬/混合IC，其產(chǎn)品將廣泛供應(yīng)于工業(yè)、汽車、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域，滿足市場對半導(dǎo)體日益增長的需求。
公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設(shè)，目標(biāo)是在2026年投入使用，2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后，該工廠將制造分立功率器件和模擬/混合IC，產(chǎn)品供應(yīng)工業(yè)、汽車、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域。
英飛凌首席執(zhí)行官JochenHanebeck表示，這筆政府資金意義非凡。它不僅將加強(qiáng)德累斯頓、德國乃至歐洲作為半導(dǎo)體中心的地位，還將有力促進(jìn)最先進(jìn)的微電子創(chuàng)新和生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。
除了新廠建設(shè)，在2025年，英飛凌推出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)。
2月13日，英飛凌宣布推出首款采用先進(jìn)200mm SiC晶圓技術(shù)制造的碳化硅產(chǎn)品，這標(biāo)志著其SiC技術(shù)路線圖取得了重大進(jìn)展。此外，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換，其新建Module 3 廠房已準(zhǔn)備好根據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。
在超薄功率半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)方面，英飛凌取得了突破性成果，成功推出全球最薄的硅功率晶圓，厚度僅為20微米，這一成果大幅提升了功率半導(dǎo)體的性能與應(yīng)用潛力。
在氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域，英飛凌率先推出全球首款300mm功率氮化鎵技術(shù)。據(jù)英飛凌預(yù)測，氮化鎵將在多個(gè)行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn)，進(jìn)一步推動(dòng)能源效率提升。
?在人工智能數(shù)據(jù)中心，氮化鎵技術(shù)能提升功率密度，影響單位機(jī)架空間內(nèi)的計(jì)算能力；
?在家用電器領(lǐng)域，以800W應(yīng)用為例，氮化鎵可助力產(chǎn)品效率提升2%，幫助制造商獲得更高能效評級；
?在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，基于氮化鎵的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器將提高充電效率、功率密度和材料可持續(xù)性。隨著成本與硅接近，預(yù)計(jì)今年及未來氮化鎵的采用率將不斷提高。
此外，英飛凌近期還推出了CIPOS?Maxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列，該系列基于1200VIGBT7和快速二極管Emcon7技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)較強(qiáng)控制和性能，在工業(yè)、能源等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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