在全球新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通等產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)的背景下，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）正成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新主角。當(dāng)前，12英寸碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)與量產(chǎn)能力，已成為衡量第三代半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的重要標(biāo)尺，吸引多家廠商布局。近期，西湖儀器、天岳先進(jìn)傳出新動(dòng)態(tài)。
1、西湖儀器率先實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離
3月26日消息，西湖儀器近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。
此前，西湖儀器已推出“8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備”，并于今年1月榮獲“國(guó)內(nèi)首臺(tái)（套）裝備”認(rèn)定。
碳化硅領(lǐng)域，襯底材料成本占據(jù)整體成本的比例居高不下，阻礙了碳化硅器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。西湖儀器指出，降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。
與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本。
source：西湖儀器
國(guó)內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)去年已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，這也帶來(lái)了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。
為此，西湖儀器推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離，具有自動(dòng)化、低損耗與高效率等優(yōu)勢(shì)。
2、天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海
在3月25日于上海舉辦的亞洲化合物半導(dǎo)體大會(huì)上，天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場(chǎng)，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。
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source：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
天岳先進(jìn)在會(huì)上分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢(shì)。
12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入”12英寸時(shí)代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。
應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的算力革命。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）
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