株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

5月21日,株洲中車董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)的最新進展。

株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè),其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動,計劃2025年5月完成主體廠房封頂,年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC芯片生產(chǎn)線年產(chǎn)2.5萬片,已具備成熟產(chǎn)能。

圖片來源:株洲中車

在MOSFET技術(shù)上,株洲中車已完成第三代精細平面柵SiC MOSFET的定型開發(fā),技術(shù)水平已達到行業(yè)主流。第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計定型,并達到行業(yè)先進水平,性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。此外,公司已前瞻性布局第五代技術(shù)研發(fā),并透露在超精細溝槽柵7.5代技術(shù)方面已達到國際領(lǐng)先水平,展現(xiàn)出強大的持續(xù)創(chuàng)新能力。

公司重點產(chǎn)品涵蓋650V至6500V電壓等級的SiC MOSFET,以及1200V SBD(肖特基二極管)。其中,1200V SBD已在光伏領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量出貨。

在封裝層面,SiC TO封裝器件已在充電樁、車載充電機(OBC)、電源管理等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模供貨。面向新能源汽車主驅(qū)控制器,公司于2022年底正式發(fā)布了其C-Power 220s平臺,這是國內(nèi)首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅(qū)產(chǎn)品,系統(tǒng)效率最高可達94%,目前已進入整車廠驗證階段,預(yù)計2025年有望實現(xiàn)主驅(qū)批量出貨。

株洲中車正在構(gòu)建從襯底、芯片到應(yīng)用平臺的完整SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài),加速向高壓、高能效電力電子市場滲透。隨著產(chǎn)線升級、技術(shù)迭代和產(chǎn)品矩陣的完善,株洲中車有望在碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破,推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級與發(fā)展。

(集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理)

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