近日，合盛硅業(yè)股份有限公司旗下子公司 —— 寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發(fā)出 12 英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并同步啟動了針對大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等工藝的系統(tǒng)研究。這一成果標志著我國在 SiC 大尺寸晶體制造領域取得了具有里程碑意義的技術突破。
圖片來源：合盛硅業(yè)——左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
經(jīng)過多年的持續(xù)攻關與深度積累，寧波合盛新材料已實現(xiàn)從高純石墨純化、SiC 多晶粉料制備，到單晶生長與晶片加工的完整技術鏈條自主可控。此次 12 英寸晶體的成功制備，是繼 2024 年 8 英寸碳化硅襯底實現(xiàn)量產(chǎn)化之后的又一重大飛躍。
面對全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的擴產(chǎn)熱潮與技術競爭，近期我國多家企業(yè)12英寸SiC技術領域取得了顯著進展。
5月18日，晶馳機電舉行河北省首臺（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐交付儀式，該系列產(chǎn)品是晶馳機電入駐正定后自主完成研發(fā)生產(chǎn)的高端裝備。
5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好。
5月8日，南砂晶圓在參加行業(yè)大會時，在現(xiàn)場展示了12英寸導電型SiC襯底等重點產(chǎn)品，成功實現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的突破。
近日，山東力冠微電子裝備公開表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發(fā)難關，并于近期完成首批兩臺設備的交付。
碳化硅作為第三代半導體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導率等優(yōu)異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。然而，大尺寸碳化硅晶體的制備長期以來是世界性技術難題，向 12 英寸規(guī)模進階，需要在熱場控制、晶體缺陷抑制、加工耗損控制等多個維度同步突破。
（集邦化合物半導體 niko 整理）
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