近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。
結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市場、部分SiC設(shè)計(jì)小產(chǎn)線，以及為其未來氮化鎵器件研發(fā)和生產(chǎn)做準(zhǔn)備。
瑞薩此舉不僅僅是企業(yè)內(nèi)部的一次調(diào)整，更是當(dāng)前全球電動汽車市場變化、SiC產(chǎn)業(yè)競爭格局加劇以及中國半導(dǎo)體企業(yè)崛起等多重因素交織下的一個(gè)縮影。
01、SiC市場的多重沖擊：需求疲軟、價(jià)格“雪崩”與供應(yīng)鏈困境
瑞薩此前曾對SiC寄予厚望，早在2023年7月，瑞薩就與全球SiC晶圓龍頭Wolfspeed簽署了長達(dá)10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議，并為此支付了20億美元的預(yù)付款，旨在從2025年開始獲得長期、穩(wěn)定、高質(zhì)量的SiC晶圓供應(yīng)，以推進(jìn)其SiC功率半導(dǎo)體的技術(shù)路線圖，拓展其在汽車、工業(yè)和能源領(lǐng)域的應(yīng)用。然而，僅僅一年多的時(shí)間，瑞薩便傳出放棄了SiC的生產(chǎn)計(jì)劃，并解散了相關(guān)團(tuán)隊(duì)，這背后有諸多原因。
· 市場需求疲軟與增速放緩
首先，全球電動汽車（EV）市場增速放緩直接影響了SiC的需求。SiC功率半導(dǎo)體作為電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)的核心組件，其市場表現(xiàn)與EV銷量緊密相連。據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，受2024年汽車和工業(yè)領(lǐng)域需求走弱的影響，SiC襯底出貨量增長明顯放緩。展望2025年，SiC襯底市場依然面臨需求疲軟的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
另外，市場端消息顯示，這種疲軟的一個(gè)重要原因是歐洲電動汽車補(bǔ)貼資金的結(jié)束。歐洲多國此前為了刺激EV消費(fèi)而提供的購車補(bǔ)貼逐步取消或減少，直接導(dǎo)致電動汽車的銷售增長不及預(yù)期，進(jìn)而傳導(dǎo)至上游的SiC供應(yīng)鏈，使其訂單減少。
· 激烈競爭導(dǎo)致價(jià)格“雪崩”
其次，SiC市場的競爭格局異常激烈，產(chǎn)品價(jià)格正經(jīng)歷“雪崩式”下跌。隨著眾多廠商涌入SiC領(lǐng)域，產(chǎn)能逐漸釋放，但需求增長卻未能同步跟上，導(dǎo)致市場供過于求。據(jù)供應(yīng)鏈消息，聚焦中國市場，6英寸SiC襯底晶圓報(bào)價(jià)已跌至400美元以下，價(jià)格接近生產(chǎn)成本線。
綜合來看，這種需求疲軟和價(jià)格戰(zhàn)的疊加效應(yīng)，對SiC產(chǎn)業(yè)的營收造成了直接沖擊。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，由于市場競爭的加劇和產(chǎn)品價(jià)格的大幅下跌，2024年全球N型（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)的營收同比下滑9%，降至10.4億美元。
· 合作伙伴與同行困境加劇擔(dān)憂
此外，多家同行及合作伙伴的險(xiǎn)境也加劇了瑞薩電子對SiC市場的擔(dān)憂。瑞薩曾斥巨資與其簽署十年SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議的戰(zhàn)略伙伴Wolfspeed，近期就傳出考慮申請美國Chapter 11破產(chǎn)保護(hù)的消息。Wolfspeed在2025年5月初提交給美國證券交易委員會（SEC）的文件中，承認(rèn)對其持續(xù)經(jīng)營能力存在“重大疑慮”。作為上游核心供應(yīng)商，Wolfspeed的不確定性無疑給瑞薩的SiC生產(chǎn)計(jì)劃帶來了巨大的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，而其20億美元的預(yù)付款也因此面臨潛在損失。
不僅如此，其他主要競爭對手也面臨壓力。例如，日本的羅姆公司（ROHM）就因加大SiC半導(dǎo)體投資而遭遇12年來首次凈虧損，而意法半導(dǎo)體的股價(jià)也受到SiC市場波動影響，并且其2024年第四季度營收大幅下降22.4%；英飛凌2024年第四季度的營收下降了15%，雖然在2025年第一季度展望中表現(xiàn)出一定韌性，但整體市場需求（特別是汽車領(lǐng)域）的疲軟依然對其業(yè)績構(gòu)成壓力。英飛凌也曾因市場需求不確定性而推遲了其在馬來西亞居林的SiC工廠擴(kuò)建計(jì)劃。
02、瑞薩的戰(zhàn)略抉擇：或退出生產(chǎn)，不棄市場
SiC市場競爭異常激烈，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從目前的SiC功率半導(dǎo)體市場格局來看，雖然意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、Wolfspeed、羅姆、博世等歐美日廠商仍處于領(lǐng)先地位，但中國廠商近年來奮起直追，芯聯(lián)集成、三安光電的市場份額已來到前十。
據(jù)悉，瑞薩雖然放棄了內(nèi)部生產(chǎn)SiC芯片，但并不打算完全退出SiC市場。相反，它可能會繼續(xù)開發(fā)自己的SiC設(shè)計(jì)，并將制造外包給代工廠（foundries），然后以自有品牌銷售成品（Compound Semiconductor News, TrendForce）。這種“退出生產(chǎn)但不退出市場”的策略轉(zhuǎn)變，比簡單的完全放棄更復(fù)雜，也更符合大型半導(dǎo)體公司在面對市場挑戰(zhàn)時(shí)通常會采取的靈活策略，
雖然瑞薩電子尚未就解散SiC團(tuán)隊(duì)發(fā)布正式的官方聲明，但其高管對市場前景的看法、供應(yīng)鏈伙伴的困境、以及當(dāng)前SiC市場嚴(yán)重的競爭和需求放緩，都構(gòu)成了其做出這一戰(zhàn)略調(diào)整的充分跡象和理由。
03、瑞薩電子轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），尋找新的增長點(diǎn)？
與此同時(shí)，瑞薩電子在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域則展現(xiàn)出積極的布局，這或許是其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)で笮碌脑鲩L點(diǎn)，并實(shí)現(xiàn)技術(shù)路線再平衡的重要信號。
4月16日，瑞薩電子與“Polar Semiconductor”達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得了其D-MODE硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。根據(jù)協(xié)議，Polar將在其位于明尼蘇達(dá)州的8英寸車規(guī)級量產(chǎn)工廠，為瑞薩及其他客戶生產(chǎn)650V高壓硅基氮化鎵器件。雙方將共同推進(jìn)GaN器件的商業(yè)化量產(chǎn)，重點(diǎn)覆蓋汽車電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)能源、消費(fèi)電子以及航空航天與國防等關(guān)鍵領(lǐng)域。
圖片來源：Polar Semiconductor官網(wǎng)截圖
據(jù)悉，Polar Semiconductor作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導(dǎo)體的商業(yè)代工廠，其擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃（月產(chǎn)能將從2萬片提升至近4萬片）和美國《芯片與科學(xué)法案》的資金支持，將為瑞薩提供可靠的GaN代工能力。
值得關(guān)注的是，瑞薩在2024年初以24億人民幣全資收購了全球領(lǐng)先的GaN器件廠商Transphorm。通過此次收購，瑞薩獲得了Transphorm位于日本會津的AFSW晶圓廠技術(shù)資產(chǎn)，這意味著瑞薩將擁有GaN芯片的內(nèi)部生產(chǎn)能力，其氮化鎵產(chǎn)品將主要在該工廠進(jìn)行生產(chǎn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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