6月3日，羅姆宣布開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET。
圖片來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)
新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國(guó)）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售，通過(guò)電商平臺(tái)均可購(gòu)買。
隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負(fù)載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求，一直是個(gè)難題。
在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴(kuò)大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過(guò)載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負(fù)荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現(xiàn)節(jié)能。
RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動(dòng)）工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。
羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負(fù)載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達(dá)16A、1ms時(shí)也可達(dá)50A，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對(duì)以往MOSFET難以支持的高負(fù)載應(yīng)用。
RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負(fù)荷并降低電力成本。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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