2月26日,上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式舉行。建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及碳化硅功率半導(dǎo)體模塊的年生產(chǎn)能力,達產(chǎn)后年產(chǎn)值將超30億元,成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體智能制造基地。
據(jù)了解,項目位于上海市松江區(qū),土建投資3.6億元,含設(shè)備總投資預(yù)計...  [詳內(nèi)文]
林眾電子IGBT及碳化硅功率模塊項目奠基 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 03 月 01 日 9:00
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