據(jù)日媒報(bào)道，東芝半導(dǎo)體子公司東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝電子”）總裁佐藤裕之表示，公司的主要產(chǎn)品是用于控制汽車(chē)和家電功率的功率半導(dǎo)體，目前正在擴(kuò)大產(chǎn)能。
佐藤裕之表示，車(chē)用功率半導(dǎo)體的性能非常好，公司認(rèn)為需要擴(kuò)產(chǎn)。目前生產(chǎn)場(chǎng)地不夠用，要建新廠房。據(jù)悉，東芝電子計(jì)劃在姬路半導(dǎo)體工廠（位于兵庫(kù)縣太子町）建設(shè)新廠房，并將于2025年春季投產(chǎn)，建成后該工廠的汽車(chē)產(chǎn)品產(chǎn)能將增加一倍以上。
未來(lái)，半導(dǎo)體市場(chǎng)將擴(kuò)大，并且用途也逐漸明了。以汽車(chē)為例，隨著電氣化的推進(jìn)，使用的半導(dǎo)體數(shù)量不斷增加。佐藤裕之表示，未來(lái)東芝電子在半導(dǎo)體設(shè)備投資可能會(huì)增加。
此外，佐藤裕之表示公司將會(huì)大力發(fā)展節(jié)能性好、采用“碳化硅（SiC）”材料的功率半導(dǎo)體，并透露量產(chǎn)應(yīng)該在2025年開(kāi)始，但日本和國(guó)外的客戶(hù)都希望提前量產(chǎn)，公司方面將會(huì)討論是否有可能推進(jìn)進(jìn)程。
SiC是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表，具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于電力電子與射頻等下游。
SiC相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導(dǎo)系數(shù)高和熔點(diǎn)高等優(yōu)勢(shì)，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限，作為襯底開(kāi)發(fā)出更適應(yīng)高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于新能源車(chē)、光伏及射頻領(lǐng)域。
其中，新能源汽車(chē)可以說(shuō)是目前碳化硅應(yīng)用最火熱的賽道。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場(chǎng)分析報(bào)告》內(nèi)容顯示，隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。
Source：TrendForce集邦咨詢(xún)
第三代功率半導(dǎo)體方面，TrendForce集邦咨詢(xún)推估產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長(zhǎng)至47.1億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)48%。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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