Author Archives: huang, Mia

12英寸氮化鎵，新輔助？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 14:37 | 分類 功率
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。 圖片來源：信越化學(xué) 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]

交付/升級，2家碳化硅設(shè)備企業(yè)有新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 8:45 | 分類 企業(yè)
近日，在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，國內(nèi)兩家企業(yè)取得了新進展——中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付。 關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級 近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。 據(jù)中國電科官方消息，碳化硅...  [詳內(nèi)文]

上海昆芯公司碳化硅MOS應(yīng)用于北美電動方程式賽車
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 8:43 | 分類 企業(yè)
昨（9）日， 昆芯（上海）科技有限公司（下文簡稱“昆芯”）宣布，公司碳化硅MOS成功被加拿大多倫多大學(xué)選為電動方程式賽車主驅(qū)逆變系統(tǒng)的核心部件。 昆芯推出的1200V碳化硅MOS芯片通過國際首創(chuàng)的原胞設(shè)計，展現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗和高溫自適應(yīng)的開關(guān)損耗，實現(xiàn)了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙降低。...  [詳內(nèi)文]

5000萬，復(fù)錦功率半導(dǎo)體獲新投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 09 日 18:28 | 分類 企業(yè)
9月6日，據(jù)成都岷山先進技術(shù)研究院官微消息，近日，成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司（以下簡稱“復(fù)錦功率半導(dǎo)體”）完成A輪融資，融資總額為5000萬，由湖北晟賢股權(quán)投資有限公司（以下簡稱“湖北晟賢”）領(lǐng)投，同時湖北晟賢也將加入復(fù)錦功率半導(dǎo)體的董事會。 該筆資金將主要應(yīng)用于企業(yè)半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

碳化硅廠商與汽車零部件供應(yīng)商合作+2?
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 06 日 18:42 | 分類 企業(yè)
隨著產(chǎn)能的提升，碳化硅上車的逐漸成為一種常態(tài)。近日，國內(nèi)外又新增2起碳化硅功率器件廠商與汽車零部件供應(yīng)商合作案。 羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議 9月5日，羅姆宣布與中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive El...  [詳內(nèi)文]

投資4.32億，6英寸碳化硅器件廠在印度落成
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 05 日 17:57 | 分類 企業(yè)
9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布，公司此前投資51億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的碳化硅半導(dǎo)體制造工廠已正式落成。 資料顯示，RIR是美國Silicon Power Group在印度的子公司，企業(yè)主要從事電力電子元件的生產(chǎn)。RIR的產(chǎn)品組合包括低...  [詳內(nèi)文]

三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 05 日 8:41 | 分類 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。 GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。 三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成將新增氮化鎵產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:11 | 分類 企業(yè)
9月2日晚，芯聯(lián)集成披露了公司2024年上半年業(yè)績電話說明會相關(guān)內(nèi)容。會上，芯聯(lián)集成表示，公司將增加GaN產(chǎn)品線，來滿足新應(yīng)用的需求。 根據(jù)芯聯(lián)集成2024年半年報顯示，報告期內(nèi)，芯聯(lián)集成實現(xiàn)營收28.80億元，同比增長14.27%；歸母凈利潤-4.71億元，歸母扣非凈利潤-7....  [詳內(nèi)文]

總計170億，先導(dǎo)科技旗下2個化合物半導(dǎo)體項目開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 18:10 | 分類 企業(yè)
據(jù)德州天衢新區(qū)官微消息，8月31日，山東2024年秋季全省高質(zhì)量發(fā)展重大項目現(xiàn)場推進會召開，德州設(shè)立分會場，會上宣布總投資50億元的半導(dǎo)體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目開工。 據(jù)介紹，半導(dǎo)體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目位于天衢新區(qū)崇德八大道以東、尚德五路以南，總建筑面積約25萬平方...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)有新突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 02 日 17:21 | 分類 功率
據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。 source:江寧發(fā)布 公開資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代...  [詳內(nèi)文]