韓國KAIST研發(fā)出f-VLED的低成本轉移方法

作者 | 發(fā)布日期 2018 年 06 月 20 日 14:06 | 分類 產業(yè)

近日據國外媒體報道,韓國科學技術院(KAIST)研究團隊為柔性垂直藍色薄膜Micro LED(f-VLED)開發(fā)了一種低成本的生產方法。來自材料科學和工程系的Keon Jae Lee教授以及團隊開發(fā)了一種在塑料上制造數千個藍色氮化鎵(GaN)Micro LED(厚度<2μm)陣列的一次性轉移方法。

比起橫向Micro LED,藍色氮化鎵f-VLED可實現高三倍的光功率密度(~30 mW / mm2)。同時,該團隊還能夠減少熱量的產生,從而使投影設備的使用壽命延長大約100,000小時。

這些藍色f-VLED可用于可穿戴設備,適形地貼在皮膚上,甚至植入大腦中。此外,該研發(fā)團隊表示,可以通過無線傳輸的電能為Micro LED提供穩(wěn)定電源。

由于Micro LED非常低的功耗、更快的響應速度以及設計的靈活性,預計Micro LED將取代AMOLED顯示屏。但是,要達到更大的顯示器和電視的規(guī)模,這種制造技術需要能夠轉移數百萬個紅色、藍色和綠色的Micro LED。

Keon Jae Lee教授表示:“對于未來的Micro LED,薄膜轉移、高效器件和互連的創(chuàng)新技術都是非常必要的。我們計劃在今年年底之前展示智能手表尺寸的全彩Micro LED顯示屏。”

這項研究發(fā)表在2018年6月的Advanced Materials期刊上。(編輯:LED網 James)

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