19日，湖南三安半導(dǎo)體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標(biāo)志著湖南三安第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目(一期)Ⅰ標(biāo)段主體工程完工，預(yù)計今年6月份有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。
圖片來源：長沙晚報
據(jù)悉，該棟廠房占地面積為2.32萬平方米，建筑面積5.23萬平方米，鋼構(gòu)大屋面面積1.65萬平米。
此前，湖南三安半導(dǎo)體項目（一期）Ⅰ標(biāo)段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結(jié)構(gòu)封頂。
據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設(shè)，主要包含具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地的建設(shè)。
該項目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計逾千億元。（來源：長沙晚報、LEDinside整理）
更多LED相關(guān)資訊，請點擊LED網(wǎng)或關(guān)注微信公眾賬號（cnledw2013） 。