近幾年，國星光電聚焦Mini/Micro LED超高清顯示領(lǐng)域，加速布局第三代半導(dǎo)體等前瞻領(lǐng)域賽道，著力攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，形成了多項自主知識產(chǎn)權(quán)。
4月27日，國星光電發(fā)布公告稱，公司于近日收到國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的9項發(fā)明專利證書，包括6項涉及Mini/Micro LED技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠?項涉及第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠?/p>
涉及Mini/Micro LED技術(shù)領(lǐng)域的6項專利中，“一種量子點發(fā)光器件及其制造方法”的發(fā)明專利，是國星光電繼成功開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)、攜手華南理工大學(xué)成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點LED器件2項技術(shù)突破后，在Mini/Micro LED領(lǐng)域量子點技術(shù)攻關(guān)中取得的又一科研成果。
國星光電表示，本次取得的6項專利的相關(guān)技術(shù)方案，可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度，優(yōu)化及簡化線路結(jié)構(gòu)設(shè)計，提升制程及封裝良率，形成成熟的封裝技術(shù)路線，確保顯示效果的一致性，提升用戶的觀看體驗。
涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的3項發(fā)明專利，可提升產(chǎn)品散熱效率，延長器件的使用壽命，更好地保障器件穩(wěn)定性，同時兼具良好的絕緣性能及抗壓能力，產(chǎn)品可根據(jù)實際需求進行多樣化設(shè)計，靈活性非常強。
國星光電稱，公司積極拓寬第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新賽道，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測業(yè)務(wù)，目前在上游芯片領(lǐng)域布局有硅基氮化鎵的外延芯片技術(shù)儲備，中游封裝領(lǐng)域已建成第三代半導(dǎo)體功率器件實驗室及試產(chǎn)線。
國星光電表示，本次獲取的專利體現(xiàn)了公司正持續(xù)推進第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為公司打造具備高可靠性、高品質(zhì)優(yōu)勢的“第三代半導(dǎo)體功率器件封測企業(yè)”奠定堅實技術(shù)基礎(chǔ)。
上述專利的取得彰顯了國星光電在相關(guān)領(lǐng)域核心技術(shù)方面取得重要進展，相關(guān)專利的獲得雖不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但對公司的工藝改進、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面有積極的影響，有助于增強公司的核心競爭力。（LEDinside整理）
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