2月21日,光州科學(xué)技術(shù)院(GIST,校長(zhǎng)Kichul Lim)宣布,學(xué)校電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院的Dong-Seon Lee教授的研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了僅采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體遠(yuǎn)程同質(zhì)外延技術(shù)。
外延技術(shù),即在半導(dǎo)體制造中將半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)成...  [詳內(nèi)文]
GaN開(kāi)啟了“無(wú)限復(fù)制”時(shí)代! |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2024 年 02 月 21 日 17:55
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關(guān)鍵字:
GaN
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