文章分類： 功率

GaN代工廠BelGaN將采購愛思強設備

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 22 日 17:35 |
| 分類: 功率
德國半導體沉積設備廠商愛思強（AIXTRON）昨日（11/21）宣布，半導體代工廠BelGaN將采用公司的新型G10-GaN外延系統(tǒng)用以擴展自身業(yè)務。 據(jù)介紹，新型G10-GaN系統(tǒng)擁有一流的性能、全新緊湊設計以及可以大大降低每片晶圓的整體成本。該系統(tǒng)初始配置為8x150mm規(guī)格...  [詳內(nèi)文]

理想正在新加坡組建團隊，研發(fā)SiC功率芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 22 日 17:35 |
| 分類: 功率
近日有消息稱，理想汽車目前正在新加坡組建團隊，從事SiC功率芯片的研發(fā)。在職場應用LinkedIn上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括總經(jīng)理、SiC功率模塊故障分析/物理分析專家、SiC功率模塊設計專家、SiC功率模塊工藝專家和SiC功率模塊電氣設計專家。 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)企業(yè)粵海金8英寸SiC襯底取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 21 日 17:45 |
| 分類: 功率
山東粵海金半導體科技有限公司（下文簡稱“粵海金”）于昨日（11/20）宣布自主研制的SiC單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型SiC晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時已經(jīng)順利加工出8英寸SiC襯底片。 粵海金是高金富恒集團旗下專門從事第三代半導體材...  [詳內(nèi)文]

工信部發(fā)布重點新材料征求意見稿，涉及化合物半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 21 日 15:49 |
| 分類: 功率
近日，工業(yè)和信息化部網(wǎng)站發(fā)布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》（征求意見稿），意見征集截止時間為2023年11月24日。 根據(jù)征求意見稿，先進化工材料包括特種橡膠及其他高分子材料、工程塑料、膜材料以及其他先進化工材料，共計52種。此外目錄還涵蓋高性能纖維及復合材...  [詳內(nèi)文]

Transphorm和Allegro MicroSystems聯(lián)手提高GaN電源系統(tǒng)性能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 16 日 17:28 | | 分類: 功率
Transphorm和Allegro MicroSystems于昨日（11/15）宣布合作，聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅動器，借此擴展GaN電源系統(tǒng)設計在高功率應用范圍。 據(jù)介紹，Transphorm的SuperG...  [詳內(nèi)文]

矽力杰寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 15 日 17:34 |
| 分類: 功率
近日，浙江省發(fā)改委發(fā)布通知，認定51家單位為浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科創(chuàng)中心牽頭下，聯(lián)合紹興中芯集成電路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麥田能源股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心成功獲批。 據(jù)矽力杰介紹，寬禁帶功率器件與應用浙江省工...  [詳內(nèi)文]

日本開發(fā)新技術，可實現(xiàn)GaN垂直導電

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 14 日 18:01 |
| 分類: 功率
當?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材上。 該技術實現(xiàn)了GaN的垂直導...  [詳內(nèi)文]

云南鍺業(yè)：6英寸SiC中試線正處于建設過程中

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 13 日 17:34 | | 分類: 功率
11月10日，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司（以下簡稱云南鍺業(yè)）在投資者關系平臺上答復投資者關心的問題，其中包括6英寸SiC（碳化硅）中試生產(chǎn)線及相關專利。 對于有投資者想了解公司6英寸SiC中試生產(chǎn)線前面是否還有小試生產(chǎn)線，云南鍺業(yè)表示，上述研發(fā)項目前期已完成小試，目前中試線正處...  [詳內(nèi)文]

遙遙領先，SiC電驅平臺助力華為智界S7

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 17:00 |
| 分類: 功率
昨日（11/9），華為攜手奇瑞發(fā)布智界S7電動汽車，該車搭載了全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動力平臺。 據(jù)了解，全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動力平臺搭載了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉速的電機。這款電機的每分轉速高達22000轉，使得車輛在加速和行駛過程中...  [詳內(nèi)文]

江蘇：加快培育第三代半導體、虛擬現(xiàn)實等產(chǎn)業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 11:28 | | 分類: 功率
11月9日，江蘇省人民政府發(fā)布關于加快培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)的指導意見。 意見提出，到2025年，建設10個未來產(chǎn)業(yè)（技術）研究院、未來技術學院、未來產(chǎn)業(yè)科技園等平臺載體，引育50個未來產(chǎn)業(yè)領軍人才（團隊），涌現(xiàn)一批具有核心競爭力的關鍵技術、應用場景和重點企業(yè)，南京、蘇州率先建設未來...  [詳內(nèi)文]