文章分類： 功率

江蘇：加快培育第三代半導體、虛擬現(xiàn)實等產(chǎn)業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 11:28 | | 分類: 功率
11月9日，江蘇省人民政府發(fā)布關于加快培育發(fā)展未來產(chǎn)業(yè)的指導意見。 意見提出，到2025年，建設10個未來產(chǎn)業(yè)（技術(shù)）研究院、未來技術(shù)學院、未來產(chǎn)業(yè)科技園等平臺載體，引育50個未來產(chǎn)業(yè)領軍人才（團隊），涌現(xiàn)一批具有核心競爭力的關鍵技術(shù)、應用場景和重點企業(yè)，南京、蘇州率先建設未來...  [詳內(nèi)文]

總投資超110億，車規(guī)級半導體項目簽約杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 09 日 18:09 |
| 分類: 功率
杭州市蕭山區(qū)人民政府2023年《政府工作報告》第三季度重點任務執(zhí)行情況于近日發(fā)布。據(jù)第61項完成情況顯示，目前已簽約、落地億元以上項目26個，其中100億以上項目實現(xiàn)零的突破，簽約總投資112億元的車規(guī)級半導體項目。 杭州市前不久才完成一起車規(guī)級半導體項目的簽約：據(jù)蕭山日報報道，...  [詳內(nèi)文]

東部高科正式啟動超高壓功率半導體業(yè)務

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 08 日 14:53 | | 分類: 功率
近日，韓國8英寸晶圓代工廠東部高科（DB Hitek）宣布升級超高壓（UHV）功率半導體工藝技術(shù)，正式進軍超高壓功率半導體業(yè)務。 資料顯示，超高壓功率半導體可廣泛應用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領域。相關人士表示，東部高科將以其具有競爭力的功率半導體技術(shù)為基礎，向高附加值、高增長的...  [詳內(nèi)文]

11.9億，大基金等助力士蘭微SiC功率器件生產(chǎn)提速

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 08 日 14:50 |
| 分類: 功率
天眼查顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（下文簡稱“士蘭明鎵”）近日發(fā)生工商變更，新增股東國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（下文簡稱“大基金二期”）、廈門海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)（有限合伙）（下文簡稱“海創(chuàng)發(fā)展基金”），注冊資本從原先的約12.7億人民幣增至約24.6億人...  [詳內(nèi)文]

羅姆宣布明年在日本生產(chǎn)8英寸SiC襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 07 日 17:28 |
| 分類: 功率
羅姆半導體（Rohm）株式會社社長松本功近日在2023年11月財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預計將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。 據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴張計劃的一部分...  [詳內(nèi)文]

總投資21億，晶盛機電SiC襯底片項目正式簽約啟動

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:42 | | 分類: 功率
11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關半導體材料端關鍵核心技術(shù)，最終實現(xiàn)國產(chǎn)替代。 據(jù)悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。啟動儀式上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，本次項目啟動，是晶盛機電創(chuàng)新增長的重要方向。 資料顯示...  [詳內(nèi)文]

日立功率半導體被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 03 日 14:21 |
| 分類: 功率
11月2日，株式會社日立制作所（以下簡稱日立）宣布與美蓓亞三美株式會社（以下簡稱美蓓亞三美）簽訂合同，日立決定將其全資子公司株式會社日立功率半導體（以下簡稱日立功率半導體）的全部股份轉(zhuǎn)讓給美蓓亞三美。 日立功率半導體股權(quán)轉(zhuǎn)讓 據(jù)悉，日立此次股權(quán)轉(zhuǎn)讓涉及股份數(shù)量為45萬股。目前，股...  [詳內(nèi)文]

智新半導體首批自主碳化硅功率模塊下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 | | 分類: 功率
近日，智新半導體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊，該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。 據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目于2021年進行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項為量產(chǎn)項目。該項目以智新半導體封裝技術(shù)為引領，實現(xiàn)了從模塊設計、封裝測試、電控應用到整...  [詳內(nèi)文]

中電化合物完成交付首批8吋SiC外延片產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 | | 分類: 功率
10月31日，中電化合物半導體有限公司（CECS）宣布成功向客戶交付首批次8吋SiC外延片產(chǎn)品，這標志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上新臺階，可為行業(yè)提供更加先進的技術(shù)支持，從而推動碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。 據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅...  [詳內(nèi)文]

Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關IC

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
| 分類: 功率
Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同...  [詳內(nèi)文]