文章分類： 功率

基本半導體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 | | 分類: 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動上，基本半導體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動器及驅(qū)動芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
| 分類: 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動平臺表示，公司8英寸SiC襯底處于研發(fā)驗證階段，已有小批量訂單，將持續(xù)推進驗證量產(chǎn)進程。 今年1月，東尼半導體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協(xié)議，今年東尼半導體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片...  [詳內(nèi)文]

8英寸時代：國產(chǎn)SiC襯底如何升級？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
| 分類: 功率
當下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領域迸射出的強烈需求，正驅(qū)動著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展，與此同時多方紛紛加強研發(fā)力度，旨在突破技術壁壘，搶占市場先機。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個拐點尺寸：8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合上汽/小鵬/寧王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
| 分類: 功率
今年8月31日，中芯國際關聯(lián)公司——中芯集成宣布，擬與碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈上下游重要參與者、關聯(lián)方共同設立控股子公司芯聯(lián)動力科技（紹興）有限公司（“芯聯(lián)動力”），以優(yōu)化公司在SiC等化合物半導體領域的布局。 10月25日晚間，中芯集成宣布芯聯(lián)動力正式成立，注冊資本5億元，其中，...  [詳內(nèi)文]

投資10億，正齊半導體SiC功率模塊項目落戶杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 25 日 13:52 | | 分類: 功率
10月19日，正齊半導體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目在杭州開發(fā)區(qū)舉行簽約儀式。 正齊半導體（杭州）有限公司（下文簡稱“正齊半導體”）是馬來西亞上市公司正齊集團在中國的子公司，主要從事功率模塊、功率器件的研發(fā)和銷售。 據(jù)悉，正齊半導體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設第三代半導體模塊...  [詳內(nèi)文]

安森美的新SiC工廠完工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 17:08 |
| 分類: 功率
10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韓國富川的先進SiC 超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 200 mm SiC晶圓。 新的 150 mm/200 mm SiC 先進生產(chǎn)線及高科技公用設施建筑于 2022 年中期開始建設...  [詳內(nèi)文]

投資20億美元，世界先進將于新加坡建12英寸晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 13:43 |
| 分類: 功率
據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，世界先進將投資約20億美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圓廠，該廠生產(chǎn)的晶圓將用于制造車載芯片。若建廠計劃順利推行，這將會是世界先進近年來最大的一筆投資。 早在2019年，世界先進就以2.36億美元收購格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)凌銳半導體推出新一代1200V SiC MOS

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 20 日 18:48 | | 分類: 功率
10月18日，凌銳半導體（上海）有限公司（下文簡稱“凌銳半導體”）官方公眾號發(fā)文宣布，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。 據(jù)介紹，該產(chǎn)品具備開關損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動的特點，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。 ...  [詳內(nèi)文]

格芯獲3500萬美元投資，加速GaN-on-Si產(chǎn)業(yè)化

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 19 日 17:45 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過5萬片晶圓。 格芯生產(chǎn)的GaN芯片在處理高溫和高壓的優(yōu)良表現(xiàn)，可以大幅改良手機、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IOT）...  [詳內(nèi)文]

加碼SiC！欣銳科技與意法半導體深度合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 17 日 10:43 | | 分類: 功率
10月11日，深圳欣銳科技股份有限公司（下文簡稱“欣銳科技”）官方公眾號發(fā)文稱，公司近日訪問意法半導體（ST）卡塔尼亞公司，雙方高層會晤并展開深度交流，此次交流將涉及從設計初期就開發(fā)創(chuàng)新的車載充電機OBC系統(tǒng)解決平臺方案，雙方達成一致并展開深度戰(zhàn)略合作。 位于深圳的欣銳科技主營新...  [詳內(nèi)文]