日本開(kāi)發(fā)新技術(shù),可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 14 日 18:01 | 分類 功率

當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日,沖電氣工業(yè)株式會(huì)社(OKI)與信越化學(xué)合作,宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù),該技術(shù)使用OKI的CFB(晶體薄膜鍵合)技術(shù),從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST(Qromis襯底技術(shù))基板上僅剝離氮化鎵(GaN)功能層,并將其粘合到不同材料的基材上。

該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電,有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件,并與制造這些器件的公司合作,讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。

GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注,尤其在1800V以上高擊穿電壓的功率器件、Beyond5G的高頻器件以及高亮度Micro-LED顯示器等方面。

需要注意是,垂直GaN功率器件可以通過(guò)延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的行駛里程和縮短充能時(shí)間來(lái)提高電動(dòng)汽車的基本性能,預(yù)計(jì)未來(lái)將有顯著的需求增長(zhǎng)。然而,目前限制垂直GaN功率器件大規(guī)模普及的因素主要有兩點(diǎn):受晶圓直徑限制的生產(chǎn)率,和不能在大電流下實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

面對(duì)這兩種限制,OKI和信越化學(xué)提出了解決方案。

針對(duì)晶圓方面,信越化學(xué)的QST基板的熱膨脹系數(shù)與GaN相當(dāng),可以抑制翹曲和裂紋。這一特性使得即便在大于8英寸的晶圓上也能夠生長(zhǎng)具有高擊穿電壓的厚GaN薄膜,從而解除晶圓直徑的限制。

另一方面,OKI的CFB技術(shù)可以從QST襯底上僅剝離GaN功能層,同時(shí)保持高器件特性。GaN晶體生長(zhǎng)所需的絕緣緩沖層可以被去除并通過(guò)允許歐姆接觸的金屬電極接合到各種襯底上。將這些功能層粘合到具有高散熱性的導(dǎo)電基板上將實(shí)現(xiàn)高散熱性和垂直導(dǎo)電性。

OKI和信越化學(xué)的聯(lián)合技術(shù)解決了上述兩大挑戰(zhàn),為垂直GaN功率器件的社會(huì)化鋪平了道路。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。 (化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Rick編譯)

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