文章分類： 功率

新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
| 分類: 功率
上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(tái)(簡(jiǎn)稱“PTA25工藝平臺(tái)”)開(kāi)發(fā)完成。 該平臺(tái)憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 |
| 分類: 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動(dòng)上，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
| 分類: 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司8英寸SiC襯底處于研發(fā)驗(yàn)證階段，已有小批量訂單，將持續(xù)推進(jìn)驗(yàn)證量產(chǎn)進(jìn)程。 今年1月，東尼半導(dǎo)體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬(wàn)片6英寸SiC襯底的《采購(gòu)合同》。按照該協(xié)議，今年?yáng)|尼半導(dǎo)體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬(wàn)片...  [詳內(nèi)文]

8英寸時(shí)代：國(guó)產(chǎn)SiC襯底如何升級(jí)？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
| 分類: 功率
當(dāng)下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲(chǔ)能等下游領(lǐng)域迸射出的強(qiáng)烈需求，正驅(qū)動(dòng)著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展，與此同時(shí)多方紛紛加強(qiáng)研發(fā)力度，旨在突破技術(shù)壁壘，搶占市場(chǎng)先機(jī)。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點(diǎn)，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個(gè)拐點(diǎn)尺寸：8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合上汽/小鵬/寧王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
| 分類: 功率
今年8月31日，中芯國(guó)際關(guān)聯(lián)公司——中芯集成宣布，擬與碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈上下游重要參與者、關(guān)聯(lián)方共同設(shè)立控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（“芯聯(lián)動(dòng)力”），以優(yōu)化公司在SiC等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。 10月25日晚間，中芯集成宣布芯聯(lián)動(dòng)力正式成立，注冊(cè)資本5億元，其中，...  [詳內(nèi)文]

投資10億，正齊半導(dǎo)體SiC功率模塊項(xiàng)目落戶杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 25 日 13:52 | | 分類: 功率
10月19日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬(wàn)顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目在杭州開(kāi)發(fā)區(qū)舉行簽約儀式。 正齊半導(dǎo)體（杭州）有限公司（下文簡(jiǎn)稱“正齊半導(dǎo)體”）是馬來(lái)西亞上市公司正齊集團(tuán)在中國(guó)的子公司，主要從事功率模塊、功率器件的研發(fā)和銷售。 據(jù)悉，正齊半導(dǎo)體杭州項(xiàng)目將在開(kāi)發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊...  [詳內(nèi)文]

安森美的新SiC工廠完工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 17:08 |
| 分類: 功率
10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)SiC 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 200 mm SiC晶圓。 新的 150 mm/200 mm SiC 先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑于 2022 年中期開(kāi)始建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

投資20億美元，世界先進(jìn)將于新加坡建12英寸晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 13:43 |
| 分類: 功率
據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，世界先進(jìn)將投資約20億美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圓廠，該廠生產(chǎn)的晶圓將用于制造車載芯片。若建廠計(jì)劃順利推行，這將會(huì)是世界先進(jìn)近年來(lái)最大的一筆投資。 早在2019年，世界先進(jìn)就以2.36億美元收購(gòu)格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V SiC MOS

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 20 日 18:48 |
| 分類: 功率
10月18日，凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（下文簡(jiǎn)稱“凌銳半導(dǎo)體”）官方公眾號(hào)發(fā)文宣布，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。 據(jù)介紹，該產(chǎn)品具備開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。 ...  [詳內(nèi)文]

格芯獲3500萬(wàn)美元投資，加速GaN-on-Si產(chǎn)業(yè)化

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 19 日 17:45 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國(guó)政府3500萬(wàn)美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過(guò)5萬(wàn)片晶圓。 格芯生產(chǎn)的GaN芯片在處理高溫和高壓的優(yōu)良表現(xiàn)，可以大幅改良手機(jī)、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IOT）...  [詳內(nèi)文]