Tag Archives: 格恩半導(dǎo)體

這個(gè)國產(chǎn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 光電
8月26日，國產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵激光芯片昨天在六安實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，距離從安徽格恩半導(dǎo)體有限公司的實(shí)驗(yàn)室里誕生，僅用了180天，意味著我國在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。 同日，格恩半導(dǎo)體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。 會(huì)上，格恩半導(dǎo)體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，其中包...  [詳內(nèi)文]

格恩半導(dǎo)體獲創(chuàng)合鑫材基金投資，聚焦化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2022 年 10 月 26 日 11:35 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“格恩半導(dǎo)體”）獲創(chuàng)合鑫材基金獨(dú)家投資。 資料顯示，格恩半導(dǎo)體成立于2021年，主營高端化合物半導(dǎo)體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具備大功率半導(dǎo)體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產(chǎn)能力，多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。 目前，格恩半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]