相關資訊：格恩半導體

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體激光元件技術領域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導體激光器。該氮化鎵基化合物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上...  [詳內文]

這個國產氮化鎵激光芯片量產發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 光電
8月26日，國產半導體氮化鎵激光芯片昨天在六安實現(xiàn)量產，距離從安徽格恩半導體有限公司的實驗室里誕生，僅用了180天，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域實現(xiàn)突破。 同日，格恩半導體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產品發(fā)布會。 會上，格恩半導體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產品，其中包...  [詳內文]

格恩半導體獲創(chuàng)合鑫材基金投資，聚焦化合物半導體
作者 |發(fā)布日期 2022 年 10 月 26 日 11:35 | 分類 產業(yè)
近日，安徽格恩半導體有限公司（以下簡稱“格恩半導體”）獲創(chuàng)合鑫材基金獨家投資。 資料顯示，格恩半導體成立于2021年，主營高端化合物半導體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產和銷售，具備大功率半導體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產能力，多款產品實現(xiàn)國產化替代。 目前，格恩半導...  [詳內文]