8月26日，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵激光芯片昨天在六安實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，距離從安徽格恩半導(dǎo)體有限公司的實(shí)驗(yàn)室里誕生，僅用了180天，意味著我國(guó)在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
同日，格恩半導(dǎo)體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。
會(huì)上，格恩半導(dǎo)體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，其中包括藍(lán)光、綠光及紫光等系列產(chǎn)品，據(jù)稱，這些產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。
據(jù)介紹，氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn)，波長(zhǎng)范圍覆蓋可見光和紫外波段，應(yīng)用場(chǎng)景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域，近年來總體市場(chǎng)需求呈現(xiàn)較高的復(fù)合增長(zhǎng)趨勢(shì)，由于氮化鎵激光技術(shù)壁壘較高，長(zhǎng)期被國(guó)外少數(shù)企業(yè)壟斷，我國(guó)企業(yè)需求全部依賴進(jìn)口。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
近年來，格恩半導(dǎo)體集中優(yōu)勢(shì)資源力量，憑借在化合物半導(dǎo)體、尤其是氮化鎵材料領(lǐng)域豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，攻克了一系列技術(shù)難點(diǎn)，成為國(guó)內(nèi)首家可以規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片的企業(yè)。
目前，格恩半導(dǎo)體已具備覆蓋氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、封裝測(cè)試全系列工程技術(shù)能力及量產(chǎn)制造能力，擁有國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體研發(fā)與量產(chǎn)設(shè)備500余臺(tái)，以及行業(yè)先進(jìn)的產(chǎn)品研發(fā)平臺(tái)和自動(dòng)化生產(chǎn)線。
本次發(fā)布會(huì)的舉辦，意味著我國(guó)在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域已真正實(shí)現(xiàn)突破，打破了被國(guó)外企業(yè)長(zhǎng)期壟斷的局面，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)氮化鎵激光芯片產(chǎn)業(yè)化空白，緩解了該類芯片的進(jìn)口“卡脖子”問題，在我國(guó)半導(dǎo)體激光器的發(fā)展史上具有里程碑的意義。（文：：格恩半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)整理）
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