相關(guān)資訊:碳化硅

總投資6.3億,順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目(二期)封頂

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
12月10日,據(jù)“投資順義”消息,由北京順義科技創(chuàng)新集團(tuán)投資建設(shè)的第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目(二期)主體結(jié)構(gòu)近日封頂。 source:投資順義 據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資6.3億元,占地60畝,總建筑面積6.47萬(wàn)平方米,2023年8月開(kāi)工建設(shè),主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、...  [詳內(nèi)文]

晶格領(lǐng)域建成一條液相法碳化硅襯底中試線

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 12 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月12日,據(jù)北青網(wǎng)-北京青年報(bào)消息,北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):晶格領(lǐng)域)已在順義建成一條液相法碳化硅(SiC)襯底中試線,6至8英寸小規(guī)模產(chǎn)線也已初步建成并投入使用,產(chǎn)線涵蓋碳化硅長(zhǎng)晶、加工及檢測(cè)等完整襯底制備工藝環(huán)節(jié)。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)介紹,為滿(mǎn)足...  [詳內(nèi)文]

投資超10億,瑞福芯碳化硅模塊項(xiàng)目正式簽約

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 11 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
12月11日,據(jù)瑞福芯科技官微消息,12月6日,瑞福芯科技總經(jīng)理周旭光與中科院先進(jìn)研究院中科中孵總經(jīng)理涂樂(lè)平、深圳錦帛方激光科技有限公司總經(jīng)理助理胡澎一道到江蘇東臺(tái)市就瑞福芯科技“車(chē)規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺(tái)高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),與東臺(tái)高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《...  [詳內(nèi)文]

增資10億,國(guó)家集成電路產(chǎn)投基金等入股中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
天眼查資料顯示,12月5日,株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體)發(fā)生工商變更,新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司等為股東,同時(shí)其注冊(cè)資本由45.68億元人民幣增加至56.48億元人民幣。 本次增資完成后,中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體仍為株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司...  [詳內(nèi)文]

超芯星將開(kāi)啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月9日,據(jù)“南京江北新區(qū)”消息,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):超芯星)近日完成了新廠房的整體搬遷,接下來(lái),超芯星將在南京江北新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)化基地全面開(kāi)啟8英寸碳化硅(SiC)單晶襯底的批量化生產(chǎn)。 source:南京江北新區(qū) 資料顯示,超芯星成立于2019年4月,總...  [詳內(nèi)文]

8.33億,Qorvo碳化硅子公司被安森美收購(gòu)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分類(lèi) 企業(yè)
12月10日,安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元(折合人民幣約8.33億元)現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù),包括其子公司United Silicon Carbide(UnitedSiC)。該交易需滿(mǎn)足慣例成交條件,預(yù)計(jì)將于2025年第一...  [詳內(nèi)文]

X-fab碳化硅功率器件工廠獲5000萬(wàn)美元補(bǔ)助

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
12月5日,據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)《CHIPS法案》最后階段繼續(xù)為半導(dǎo)體工廠提供補(bǔ)助,其中將向比利時(shí)X-fab公司運(yùn)營(yíng)的位于德克薩斯州拉伯克的碳化硅功率器件工廠提供5000萬(wàn)美元(約3.64億人民幣)補(bǔ)助。 source:X-fab 據(jù)報(bào)道,對(duì)位于拉伯克的X-fab碳化硅功率器件工廠...  [詳內(nèi)文]

江蘇新增一個(gè)碳化硅模塊封裝設(shè)備項(xiàng)目

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息,堰才招商公司近日舉行項(xiàng)目對(duì)接會(huì),會(huì)上成功簽約4個(gè)項(xiàng)目,涵蓋了新能源、新裝備、新基建等多個(gè)產(chǎn)業(yè),計(jì)劃總投資近20億元,其中包括一個(gè)碳化硅項(xiàng)目。 source:江蘇姜堰 據(jù)悉,該項(xiàng)目由上海弗昂元科技有限公司投資建設(shè),項(xiàng)目總投資1.15億元,租用廠房約9200...  [詳內(nèi)文]

電壓覆蓋700V,英飛凌發(fā)布全新一代氮化鎵產(chǎn)品

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 06 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日,據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息,英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列,采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造,將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V。 source:江蘇姜堰 其中,CoolGaN? ...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、超芯星公開(kāi)碳化硅晶體相關(guān)專(zhuān)利

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
天眼查資料顯示,近日,天岳先進(jìn)、超芯星兩家廠商公開(kāi)了多項(xiàng)碳化硅晶體相關(guān)專(zhuān)利。 天岳先進(jìn)公開(kāi)2項(xiàng)碳化硅晶棒制備專(zhuān)利 天眼查資料顯示,12月3日,天岳先進(jìn)公開(kāi)一項(xiàng)“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專(zhuān)利,申請(qǐng)公布號(hào)為CN119061481A,申請(qǐng)日期為2024...  [詳內(nèi)文]